WSD20100DN56 N-kanal 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD20100DN56 MOSFET-in gərginliyi 20V, cərəyan 90A, müqavimət 1.6mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Elektron siqaretlər MOSFET, pilotsuz təyyarələr MOSFET, elektrik alətləri MOSFET, fasya silahları MOSFET, PD MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6572.
POTENS yarımkeçirici MOSFET PDC394X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 20 | V |
| VGS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±12 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı1 | 90 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı1 | 48 | A |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı2 | 270 | A |
| EAS | Tək Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| BMS | Uçqun cərəyanı | 40 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Ümumi Gücün Dağılması4 | 83 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| RθJA | Termal Müqavimət Qovşağı-mühit1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Termal Müqavimət Qovşağı-mühit1(Sabit Vəziyyət) | 55 | ℃/W |
| RθJC | İstilik Müqaviməti qovşağı1 | 1.5 | ℃/W |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min | Tip | Maks | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V , ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS , ID =250uA | 0.5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=4.5V , ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=2.5V , ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V , VGS=0V , TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±10V , VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=15V , VGS=10V , ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 14 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 321 | --- | ||
| IS | Davamlı mənbə cərəyanı1,5 | VG=VD=0V, Güc cərəyanı | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diod İrəli Gərginliyi2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Əks Bərpa Zamanı | IF=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | --- | 72 | --- | nC |
