WSD25280DN56G N-kanal 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD25280DN56G MOSFET-in gərginliyi 25V, cərəyan 280A, müqavimət 0.7mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Yüksək Tezlikli Yük Nöqtəsi Sinxron、Buck çevirici、Şəbəkə DC-DC Enerji Sistemi、Elektrik alət tətbiqi,Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz şarj MOSFET, dronlar MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, MOSFET nəzarətçiləri, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS yarımkeçirici MOSFET PDC262X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 25 | V |
| VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı（Silicon Limited)1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı (Silicon Limited)1,7 | 190 | A |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı2 | 600 | A |
| EAS | Tək Pulse Avalanche Energy3 | 1200 | mJ |
| BMS | Uçqun cərəyanı | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Ümumi Gücün Dağılması4 | 83 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatur əmsalı | 25-ə istinad℃, İD=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 0.7 | 0.9 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=5V, ID=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 24 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=15V, VGEN=10V ,RG=1Ω, İD=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 55 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 650 | --- |
