WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:


  • Model nömrəsi:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Kanal:N-kanal
  • Paket:DFN5*6-8
  • Məhsul Yayı:WSD30140DN56 MOSFET-in gərginliyi 30V, cərəyan 85A, müqavimət 1.7mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5*6-8-dir.
  • Tətbiqlər:Elektron siqaretlər, simsiz şarj cihazları, dronlar, tibbi xidmət, avtomobil şarj cihazları, kontrollerlər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası və s.
  • Məhsul təfərrüatı

    Ərizə

    Məhsul Teqləri

    Ümumi təsvir

    WSD30140DN56 ən yüksək performanslı xəndək N-kanallı MOSFET-dir, çox yüksək hüceyrə sıxlığı ilə ən sinxron pul çevirici tətbiqləri üçün əla RDSON və qapı yükü təmin edir. WSD30140DN56 RoHS və yaşıl məhsul tələblərinə uyğundur, 100% EAS zəmanəti, tam funksiyanın etibarlılığı təsdiq edilmişdir.

    Xüsusiyyətlər

    Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığı Xəndək texnologiyası, ultra aşağı qapı yükü, əla CdV/dt effekti zəifləməsi, 100% EAS zəmanəti, mövcud yaşıl cihazlar

    Tətbiqlər

    Yüksək tezlikli yükləmə nöqtəsi sinxronizasiyası, pul çeviriciləri, şəbəkəyə qoşulmuş DC-DC enerji sistemləri, elektrik alətləri tətbiqləri, elektron siqaretlər, simsiz şarj, dronlar, tibbi xidmət, avtomobilin doldurulması, nəzarətçilər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası

    müvafiq material nömrəsi

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. NTMFS4847N ÜZRƏ. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

    Vacib parametrlər

    Simvol Parametr Reytinq Vahidlər
    VDS Drenaj mənbəyi gərginliyi 30 V
    VGS Gate-Mənbə Gərginliyi ±20 V
    ID@TC=25℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Pulsed Drenaj Cərəyanı2 300 A
    PD@TC=25℃ Ümumi Gücün Dağılması4 50 W
    TSTG Saxlama Temperatur Aralığı -55 ilə 150 ​​arasında
    TJ Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu -55 ilə 150 ​​arasında
    Simvol Parametr Şərtlər Min. Tip. Maks. Vahid
    BVDSS Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatur əmsalı 25℃-ə istinad, ID=1mA --- 0.02 --- V/℃
    RDS(ON) Statik Drenaj Mənbə Müqaviməti2 VGS=10V , ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4.5V , ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS , ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs İrəli keçiricilik VDS=5V , ID=20A --- 90 --- S
    Qg Ümumi Qapı Yükü (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 9.5 ---
    Qgd Qapı-Drenaj Yükü --- 11.4 ---
    Td(açıq) Yandırma gecikmə vaxtı VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Yüksəlmə vaxtı --- 6 ---
    Td(off) Söndürmə gecikmə vaxtı --- 38.5 ---
    Tf Payız vaxtı --- 10 ---
    Ciss Giriş Kapasitansı VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Çıxış tutumu --- 1280 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 160 ---

  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin