WSD30350DN56G N-kanal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD30350DN56G N-kanal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD30350DN56G

BVDSS:30V

ID:350A

RDSON:0,48 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD30350DN56G MOSFET-in gərginliyi 30V, cərəyan 350A, müqavimət 1.8mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz doldurma MOSFET, dron MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, MOSFET nəzarətçiləri, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj mənbəyi gərginliyi

30

V

VGS

Qapı-Source Gərginlik

±20

V

ID@TC=25

Davamlı Drenaj CərəyanıSilicon Limited)1,7

350

A

ID@TC=70

Davamlı Drenaj Cərəyanı (Silicon Limited)1,7

247

A

IDM

Pulsed Drenaj Cərəyanı2

600

A

EAS

Tək Pulse Avalanche Energy3

1800

mJ

BMS

Uçqun cərəyanı

100

A

PD@TC=25

Ümumi Gücün Dağılması4

104

W

TSTG

Saxlama Temperatur Aralığı

-55 ilə 150 ​​arasında

TJ

Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu

-55 ilə 150 ​​arasında

 

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V, ID=250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatur əmsalı 25-ə istinad, İD=1mA

---

0,022

---

V/

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=10V, ID=20A

---

0,48

0.62

mΩ
VGS=4.5V, ID=20A

---

0,72

0,95

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS, İD=250uA

1.2

1.5

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur əmsalı

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=24V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

İrəli keçiricilik VDS=5V, ID=10A

---

40

---

S

Rg

Qapı Müqaviməti VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Ümumi Qapı Yükü (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A

---

89

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

37

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

20

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=15V, VGEN=10V,

RG=1Ω, İD=10A

---

25

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

34

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

61

---

Tf

Payız vaxtı

---

18

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

4525

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

139

---


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin