WSD40110DN56G N-kanal 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD4080DN56 MOSFET-in gərginliyi 40V, cərəyan 85A, müqavimət 4.5mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Kiçik cihazlar MOSFET, əl cihazları MOSFET, motorlar MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC496X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 40 | V |
| VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı2 | 100 | A |
| EAS | Tək Pulse Avalanche Energy3 | 110.5 | mJ |
| BMS | Uçqun cərəyanı | 47 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Ümumi Gücün Dağılması4 | 52.1 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| RθJA | Termal Müqavimət Qovşağı-Ətraf mühit1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Termal Müqavimət Qovşağı-Case1 | 2.4 | ℃/W |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V , ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (4.5V) | VDS=20V , VGS=4.5V , ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=15V , VGS=10V RG=3.3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 215 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 175 | --- | ||
| IS | Davamlı mənbə cərəyanı1,5 | VG=VD=0V, Güc cərəyanı | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Diod İrəli Gərginliyi2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
