WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD40120DN56 MOSFET-in gərginliyi 40V, cərəyan 120A, müqavimət 1.85mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz doldurma MOSFET, dron MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, MOSFET nəzarətçiləri, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF68BASSP1FET 4PB.PANJIT MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC496X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 40 | V |
| VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı2 | 400 | A |
| EAS | Tək Pulse Avalanche Energy3 | 240 | mJ |
| BMS | Uçqun cərəyanı | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Ümumi Gücün Dağılması4 | 104 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatur əmsalı | 25-ə istinad℃, İD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 1.85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=4.5V, ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=5V, ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, İD=1A ,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 10 | 12 | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 370 | --- |
