WSD4018DN22 P-kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD4018DN22 P-kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

Qısa Təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

ID:-18A

RDSON:26mΩ 

Kanal:P-kanalı

Paket:DFN2X2-6L


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD4018DN22 MOSFET-in gərginliyi -40V, cərəyan -18A, müqavimət 26mΩ, kanal P-kanal, paket DFN2X2-6L-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığı Xəndək texnologiyası, Super Low Gate Charge, Əla Cdv/dt effektinin azalması Yaşıl Cihaz Mövcuddur, Üz tanıma avadanlığı MOSFET, elektron siqaret MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, avtomobil şarj cihazı MOSFET.

WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur

AOS MOSFET AON2409, MOSFET PDB3909L-ni gücləndirir

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj Mənbə Gərginliyi

-40

V

VGS

Gate-Mənbə Gərginliyi

±20

V

ID@Tc=25 ℃

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc=70 ℃

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ -10V1

-14.6

A

IDM

300μS impulslu drenaj cərəyanı,VGS=-4.5V2

54

A

PD@Tc=25 ℃

Ümumi Gücün Dağılması3

19

W

TSTG

Saxlama Temperatur Aralığı

-55 ilə 150 ​​arasında

TJ

Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu

-55 ilə 150 ​​arasında

Elektrik Xüsusiyyətləri (TJ=25 ℃, başqa cür qeyd olunmayıbsa)

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi VGS=0V, ID=-250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS Temperatur əmsalı 25 ℃-yə istinad, ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=-10V, ID=-8.0A

---

26

34

VGS=-4.5V, ID=-6.0A

---

31

42

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS, İD=-250uA

-1.0

-1.5

-3.0

V

△VGS(th)

VGS(th)Temperatur əmsalı

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55 ℃

---

---

-5

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Ümumi Qapı Yükü (-4.5V) VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

2.5

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

6.7

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω , RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

11

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

54

---

Tf

Payız vaxtı

---

7.1

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=-20V, VGS=0V , f=1MHz

---

1560

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

116

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

97

---


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin