WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD4076DN56

BVDSS:40V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD4076DN56 MOSFET-in gərginliyi 40V, cərəyan 76A, müqavimət 6.9mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Kiçik cihazlar MOSFET, əl cihazları MOSFET, motorlar MOSFET.

WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS yarımkeçirici MOSFET PDC496X.

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj mənbəyi gərginliyi

40

V

VGS

Qapı-Source Gərginlik

±20

V

ID@TC=25

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V

33

A

IDM

Pulsed Drenaj Cərəyanıa

125

A

EAS

Tək Pulse Avalanche Energyb

31

mJ

BMS

Uçqun cərəyanı

31

A

PD@Ta=25

Ümumi Gücün Dağılması

1.7

W

TSTG

Saxlama Temperatur Aralığı

-55 ilə 150 ​​arasında

TJ

Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu

-55 ilə 150 ​​arasında

 

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatur əmsalı 25-ə istinad, İD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=10V, ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=4.5V, ID=10A

---

10

15

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS, İD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur əmsalı

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

İrəli keçiricilik VDS=5V, ID=20A

---

18

---

S

Rg

Qapı Müqaviməti VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Ümumi Qapı Yükü (10V) VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

3.0

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

1.2

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=15V, VGEN=10V, RG=3.3Ω, İD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

5.6

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

20

---

Tf

Payız vaxtı

---

11

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

185

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

38

---


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin