WSD4080DN56 N-kanal 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD4080DN56 N-kanal 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD4080DN56

BVDSS:40V

ID:85A

RDSON:4,5 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD4080DN56 MOSFET-in gərginliyi 40V, cərəyan 85A, müqavimət 4.5mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Kiçik cihazlar MOSFET, əl cihazları MOSFET, motorlar MOSFET.

WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC496X.

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj mənbəyi gərginliyi

40

V

VGS

Qapı-Source Gərginlik

±20

V

ID@TC=25 ℃

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100 ℃

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Pulsed Drenaj Cərəyanı2

100

A

EAS

Tək Pulse Avalanche Energy3

110.5

mJ

BMS

Uçqun cərəyanı

47

A

PD@TC=25 ℃

Ümumi Gücün Dağılması4

52.1

W

TSTG

Saxlama Temperatur Aralığı

-55 ilə 150 ​​arasında

TJ

Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu

-55 ilə 150 ​​arasında

RθJA

Termal Müqavimət Qovşağı-Ətraf mühit1

62

/W

RθJC

Termal Müqavimət Qovşağı-Case1

2.4

/W

 

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V , ID=250uA

40

---

---

V

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=10V , ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4.5V , ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS , ID =250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=32V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

İrəli keçiricilik VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Ümumi Qapı Yükü (4.5V) VDS=20V , VGS=4.5V , ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

5.8

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

9.5

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=15V , VGS=10V RG=3.3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

8.8

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

74

---

Tf

Payız vaxtı

---

7

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

215

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

175

---

IS

Davamlı mənbə cərəyanı1,5 VG=VD=0V, Güc cərəyanı

---

---

70

A

VSD

Diod İrəli Gərginliyi2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25

---

---

1

V


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin