WSD4098 İkili N-Kanal 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Ümumi təsviri
WSD4098DN56, həddindən artıq yüksək hüceyrə sıxlığına malik ən yüksək performanslı Dual N-Ch MOSFET xəndəyidir və bu, sinxron pul çevirici tətbiqlərinin əksəriyyəti üçün əla RDSON və qapı yükünü təmin edir.WSD4098DN56 RoHS və Yaşıl Məhsul tələblərinə cavab verir, 100% EAS zəmanəti ilə tam funksional etibarlılığı təsdiqlənir.
Xüsusiyyətləri
Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığı Xəndək texnologiyası, Super Aşağı Qapı Şarjı, Əla CdV/dt effektinin azalması, 100% EAS Zəmanəti, Yaşıl Cihaz Mövcuddur
Proqramlar
Yüksək Tezlikli Yük Nöqtəsi Sinxron, MB/NB/UMPC/VGA üçün Buck Dönüştürücü, Şəbəkə DC-DC Enerji Sistemi, Yük açarı, Elektron siqaretlər, simsiz enerji doldurma, motorlar, dronlar, tibbi xidmət, avtomobil şarj cihazları, kontrollerlər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası.
müvafiq material nömrəsi
AOS AON6884
Vacib parametrlər
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahid | |
| Ümumi Reytinqlər | ||||
| VDSS | Drenaj Mənbə Gərginliyi | 40 | V | |
| VGSS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±20 | V | |
| TJ | Maksimum qovşaq temperaturu | 150 | °C | |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | °C | |
| IS | Diodun davamlı irəli cərəyanı | TA=25°C | 11.4 | A |
| ID | Davamlı Drenaj Cərəyanı | TA=25°C | 22 | A |
| TA=70°C | 22 | |||
| Mən DM b | Pulse Drenaj Cərəyanı Test edilmişdir | TA=25°C | 88 | A |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması | T. =25°C | 25 | W |
| TC=70°C | 10 | |||
| RqJL | Termal Müqavimət - Qurğuşunla Birləşmə | Sabit vəziyyət | 5 | °C/W |
| RqJA | İstilik Müqaviməti-Ətraf mühitə keçid | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Sabit vəziyyət b | 90 | |||
| I AS d | Uçqun cərəyanı, Tək nəbz | L=0,5 mH | 28 | A |
| E AS d | Avalanche Energy, Tək nəbz | L=0,5 mH | 39.2 | mJ |
| Simvol | Parametr | Test şərtləri | Min. | Tip. | Maks. | Vahid | |
| Statik Xüsusiyyətlər | |||||||
| BVDSS | Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Sıfır Qapı Gərginliyi Drenaj Cərəyanı | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Qapı sızması cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) e | Drenaj Mənbəsi Vəziyyətində Müqavimət | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | m W | |
| VGS=4.5V, IDS=12 A | - | 9.0 | 11 | ||||
| Diod xüsusiyyətləri | |||||||
| V SD e | Diod İrəli Gərginliyi | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Əks Bərpa Zamanı | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | - | 13 | - | nC | ||
| Dinamik Xüsusiyyətlər f | |||||||
| RG | Qapı Müqaviməti | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VGS=0V, VDS=20V, Tezlik = 1.0MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
| Coss | Çıxış tutumu | - | 317 | - | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 96 | - | |||
| td(ON) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | Yüksəlmə Vaxtını işə salın | - | 8 | - | |||
| td (OFF) | Söndürmə gecikmə vaxtı | - | 30 | - | |||
| tf | Payız vaxtı söndürülməsi | - | 21 | - | |||
| Qapı Yükləmə Xüsusiyyətləri f | |||||||
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | Eşik qapısı şarjı | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | Gate-Source Charge | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | - | 3 | - | |||
