WSD4280DN22 İkili P-kanal -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD4280DN22 MOSFET-in gərginliyi -15V, cərəyan -4.6A, müqavimət 47mΩ, kanal Dual P-kanal, paket DFN2X2-6L-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
İki istiqamətli bloklama açarı; DC-DC dönüşüm proqramları;Li-batareyanın doldurulması; Elektron siqaret MOSFET, simsiz şarj MOSFET, avtomobilin doldurulması MOSFET, nəzarətçi MOSFET, rəqəmsal məhsul MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, istehlak elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | -15 | V |
| VGS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±8 | V |
| ID@Tc=25 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μS impulslu drenaj cərəyanı, (VGS=-4.5V) | -15 | A |
| PD | Gücün Dağılması T-dən yuxarı azalmaA = 25°C (Qeyd 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| RθJA | Termal Müqavimət Qovşağı-mühit1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Termal Müqavimət Qovşağı-Case1 | 50 | ℃/W |
Elektrik Xüsusiyyətləri (TJ=25 ℃, başqa cür qeyd olunmayıbsa)
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperatur əmsalı | 25 ℃-yə istinad, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=-4.5V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2.5V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=-250uA | -0.4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (-4.5V) | VDS=-10V, VGS=-4.5V, ID=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=-10V,VGS=-4.5V, RG=1Ω ID=-3.9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 16 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=-10V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 96 | --- |
