WSD6060DN56 N-kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD6060DN56 MOSFET-in gərginliyi 60V, cərəyan 65A, müqavimət 7.5mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz enerji doldurma MOSFET, mühərriklər MOSFET, pilotsuz təyyarələr MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, nəzarətçilər MOSFET, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC696X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahid | |
| Ümumi Reytinqlər | ||||
| VDSS | Drenaj Mənbə Gərginliyi | 60 | V | |
| VGSS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±20 | V | |
| TJ | Maksimum qovşaq temperaturu | 150 | °C | |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | °C | |
| IS | Diodun davamlı irəli cərəyanı | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Davamlı Drenaj Cərəyanı | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| Mən DM b | Pulse Drenaj Cərəyanı Test edilmişdir | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması | Tc=25°C | 62.5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Termal Müqavimət - Qurğuşunla Birləşmə | Sabit vəziyyət | 2.1 | °C/W |
| RqJA | İstilik Müqaviməti-Ətraf mühitə keçid | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Sabit vəziyyətb | 50 | |||
| I AS d | Uçqun cərəyanı, Tək nəbz | L=0,5 mH | 18 | A |
| E AS d | Avalanche Energy, Tək nəbz | L=0,5 mH | 81 | mJ |
| Simvol | Parametr | Test şərtləri | Min. | Tip. | Maks. | Vahid | |
| Statik Xüsusiyyətlər | |||||||
| BVDSS | Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi | VGS=0V, IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Sıfır Qapı Gərginliyi Drenaj Cərəyanı | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VDS=VGS, İDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Qapı sızması cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | Drenaj Mənbəsi Vəziyyətində Müqavimət | VGS=10V, IDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4.5V, IDS=15 A | - | 10 | 15 | ||||
| Diod xüsusiyyətləri | |||||||
| V SD | Diod İrəli Gərginliyi | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Əks Bərpa Zamanı | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | - | 36 | - | nC | ||
| Dinamik Xüsusiyyətlər3,4 | |||||||
| RG | Qapı Müqaviməti | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VGS=0V, VDS=30V, F=1.0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Çıxış tutumu | - | 270 | - | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 40 | - | |||
| td(ON) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Yüksəlmə Vaxtını işə salın | - | 6 | - | |||
| td (OFF) | Söndürmə gecikmə vaxtı | - | 33 | - | |||
| tf | Payız vaxtı söndürülməsi | - | 30 | - | |||
| Gate Şarj Xüsusiyyətləri 3,4 | |||||||
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VDS=30V, VGS=4.5V, IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Eşik qapısı şarjı | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Gate-Source Charge | - | 5 | - | |||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | - | 4.2 | - | |||
