WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD60N10GDN56 MOSFET-in gərginliyi 100V, cərəyan 60A, müqavimət 8.5mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz enerji doldurma MOSFET, mühərriklər MOSFET, dron MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, kontrollerlər MOSFET, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.
MOSFET tətbiq sahələriWINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87NEETONFINS.M3FIETONF19BA ET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC92X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 100 | V |
| VGS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı | 60 | A |
| məcburi köçkün | Pulsed Drenaj Cərəyanı | 210 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Tək nəbz | 100 | mJ |
| PD@TC=25 ℃ | Ümumi Gücün Dağılması | 125 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=50V, VGS=10V,RG=2.2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 5 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Davamlı mənbə cərəyanı | VG=VD=0V, Güc cərəyanı | --- | --- | 60 | A |
| ISP | İmpulslu mənbə cərəyanı | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Diod İrəli Gərginliyi | VGS=0V, IS=12A, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Əks Bərpa Zamanı | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | --- | 106.1 | --- | nC |
