WSD60N12GDN56 N-kanal 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD60N12GDN56 MOSFET-in gərginliyi 120V, cərəyan 70A, müqavimət 10mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Tibbi avadanlıq MOSFET, dron MOSFET, PD enerji təchizatı MOSFET, LED enerji təchizatı MOSFET, sənaye avadanlıqları MOSFET.
MOSFET tətbiq sahələriWINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC974X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj Mənbə Gərginliyi | 120 | V |
| VGS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı | 70 | A |
| məcburi köçkün | Pulsed Drenaj Cərəyanı | 150 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Tək nəbz | 53.8 | mJ |
| PD@TC=25 ℃ | Ümumi Gücün Dağılması | 140 | W |
| TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=50V, VGS=10V, RG=2Ω, ID=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 10 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 11 | --- | ||
| IS | Davamlı mənbə cərəyanı | VG=VD=0V, Güc cərəyanı | --- | --- | 50 | A |
| ISP | İmpulslu mənbə cərəyanı | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Diod İrəli Gərginliyi | VGS=0V, IS=12A, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Əks Bərpa Zamanı | IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | --- | 135 | --- | nC |
