WSD75100DN56 N-kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD75100DN56 MOSFET-in gərginliyi 75V, cərəyan 100A, müqavimət 5.3mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Elektron siqaretlər MOSFET, simsiz enerji doldurma MOSFET, dron MOSFET, tibbi xidmət MOSFET, avtomobil şarj cihazları MOSFET, MOSFET nəzarətçiləri, rəqəmsal məhsullar MOSFET, kiçik məişət texnikası MOSFET, məişət elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC3NESGNSFET Se73NESGNSCDu. ET PDC7966X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj Mənbə Gərginliyi | 75 | V |
| VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±25 | V |
| TJ | Maksimum qovşaq temperaturu | 150 | °C |
| ID | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | °C |
| IS | Diodun davamlı irəli cərəyanı, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması, TC=25°C | 155 | W |
| Maksimum Gücün Dağılması, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | İstilik Müqaviməti-Ətraf mühitə keçid ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| İstilik Müqaviməti-Ətraf mühitə keçid, Sabit Vəziyyət | 60 | °C | |
| RqJC | İstilik Müqaviməti - Korpusla birləşmə | 0.8 | °C |
| BMS | Uçqun cərəyanı, Tək nəbz, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Tək nəbz, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatur əmsalı | 25-ə istinad℃, İD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=5V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 17 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, İD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 14 | 26 | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 100 | 195 | 250 |
