WSD75N12GDN56 N-kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD75N12GDN56 MOSFET-in gərginliyi 120V, cərəyan 75A, müqavimət 6mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Tibbi avadanlıq MOSFET, dron MOSFET, PD enerji təchizatı MOSFET, LED enerji təchizatı MOSFET, sənaye avadanlıqları MOSFET.
MOSFET tətbiq sahələriWINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDSS | Drenajdan Mənbəyə Gərginlik | 120 | V |
| VGS | Qapıdan Mənbəyə Gərginlik | ±20 | V |
| ID | 1 Davamlı Drenaj Cərəyanı (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Davamlı Drenaj Cərəyanı (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı | 320 | A |
| IAR | Tək nəbzli uçqun cərəyanı | 40 | A |
| EASA | Tək nəbzli uçqun enerjisi | 240 | mJ |
| PD | Gücün dağılması | 125 | W |
| TJ，Tstg | Əməliyyat Qovşağı və Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | ℃ |
| TL | Lehimləmə üçün maksimum temperatur | 260 | ℃ |
| RθJC | İstilik müqaviməti, qovşaqdan qutuya | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | İstilik Müqaviməti, Qovşaqdan Ətraf mühitə | 50 | ℃/W |
| Simvol | Parametr | Test şərtləri | Min. | Tip. | Maks. | Vahidlər |
| VDSS | Mənbənin Dağılma Gərginliyinə axıdın | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Mənbə sızma cərəyanına axıdın | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Mənbəyə İrəli Sızma Qapısı | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Mənbəyə Qapı Ters Sızma | VGS = -20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Qapının eşik gərginliyi | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Drenajdan Mənbəyə Müqavimət | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | İrəli keçiricilik | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Qapı müqaviməti | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Yandırma gecikmə vaxtı | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Yüksəlmə vaxtı | -- | 11 | -- | ns | |
| td(OFF) | Söndürmə gecikmə vaxtı | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Payız vaxtı | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VGS =0~10V VDS = 50VID =20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Gate Source Charge | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Qapı Drenajı | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | İrəli diod cərəyanı | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| İSM | Diod impuls cərəyanı | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Diod İrəli Gərginliyi | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Əks bərpa müddəti | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Əks Bərpa Yükü | -- | 250 | -- | nC |
