WSD80100DN56 N-kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD80100DN56 MOSFET-in gərginliyi 80V, cərəyan 100A, müqavimət 6.1mΩ, kanal N-kanal, paket isə DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Dronlar MOSFET, mühərriklər MOSFET, avtomobil elektronikası MOSFET, əsas texnika MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC7966X.
MOSFET parametrləri
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 80 | V |
| VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±20 | V |
| TJ | Maksimum qovşaq temperaturu | 150 | °C |
| ID | Saxlama Temperatur Aralığı | -55 ilə 150 arasında | °C |
| ID | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı, TC=25°C | 380 | A |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması, TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | İstilik Müqaviməti - Korpusla birləşmə | 0.8 | °C |
| EAS | Avalanche Energy, Tək nəbz, L=0.5mH | 800 | mJ |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatur əmsalı | 25-ə istinad℃, İD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | İrəli keçiricilik | VDS=5V, ID=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 30 | --- | ||
| Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=30V, VGS=10V, RG=2.5Ω, İD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 19 | --- | ||
| Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Payız vaxtı | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=25V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Çıxış tutumu | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 315 | --- |
