WSD80100DN56 N-kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD80100DN56 N-kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Qısa Təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD80100DN56

BVDSS:80V

ID:100A

RDSON:6.1mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD80100DN56 MOSFET-in gərginliyi 80V, cərəyan 100A, müqavimət 6.1mΩ, kanal N-kanal, paket isə DFN5X6-8-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Dronlar MOSFET, mühərriklər MOSFET, avtomobil elektronikası MOSFET, əsas texnika MOSFET.

WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Yarımkeçirici MOSFET PDC7966X.

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj Mənbə Gərginliyi

80

V

VGS

Qapı-Source Gərginlik

±20

V

TJ

Maksimum qovşaq temperaturu

150

°C

ID

Saxlama Temperatur Aralığı

-55 ilə 150 ​​arasında

°C

ID

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

Pulsed Drenaj Cərəyanı, TC=25°C

380

A

PD

Maksimum Gücün Dağılması, TC=25°C

200

W

RqJC

İstilik Müqaviməti - Korpusla birləşmə

0.8

°C

EAS

Avalanche Energy, Tək nəbz, L=0.5mH

800

mJ

 

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi VGS=0V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatur əmsalı 25-ə istinad, İD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti2 VGS=10V, ID=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS, İD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur əmsalı

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

İrəli keçiricilik VDS=5V, ID=20A

80

---

---

S

Qg

Ümumi Qapı Yükü (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

125

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

24

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

30

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=30V, VGS=10V,

RG=2.5Ω, İD=2A ,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

19

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

70

---

Tf

Payız vaxtı

---

30

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=25V, VGS=0V , f=1MHz

---

4900

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

410

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

315

---


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin