WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:

Hissə nömrəsi:WSD80120DN56

BVDSS:85V

ID:120A

RDSON:3,7 mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Məhsul təfərrüatı

Ərizə

Məhsul Teqləri

WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı

WSD80120DN56 MOSFET-in gərginliyi 85V, cərəyan 120A, müqavimət 3.7mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.

WINSOK MOSFET tətbiq sahələri

Tibbi gərginlik MOSFET, fotoqrafiya avadanlığı MOSFET, dron MOSFET, sənaye nəzarəti MOSFET, 5G MOSFET, avtomobil elektronikası MOSFET.

WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur

AOS MOSFET AON6276, AONS62814T.STMikroelektronika MOSFET STL13N8F7, STL135N8F7AG.

MOSFET parametrləri

Simvol

Parametr

Reytinq

Vahidlər

VDS

Drenaj mənbəyi gərginliyi

85

V

VGS

Qapı-Source Gərginlik

±25

V

ID@TC=25

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V

120

A

ID@TC=100

Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V

96

A

IDM

Pulsed Drenaj Cərəyanı..TC=25°C

384

A

EAS

Avalanche Energy, Tək nəbz, L=0.5mH

320

mJ

BMS

Uçqun cərəyanı, Tək nəbz, L=0.5mH

180

A

PD@TC=25

Ümumi Gücün Dağılması

104

W

PD@TC=100

Ümumi Gücün Dağılması

53

W

TSTG

Saxlama Temperatur Aralığı

-55-dən 175-ə qədər

TJ

Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu

175

 

Simvol

Parametr

Şərtlər

Min.

Tip.

Maks.

Vahid

BVDSS

Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V, ID=250uA 85

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatur əmsalı 25-ə istinad, İD=1mA

---

0,096

---

V/

RDS(ON)

Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti VGS=10V, ID=50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS, İD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur əmsalı

---

-5.5

---

mV/

IDSS

Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=85V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=85V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±25V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Rg

Qapı Müqaviməti VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Ümumi Qapı Yükü (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=10A

---

54

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17

---

Qgd

Qapı-Drenaj Yükü

---

11

---

Td(açıq)

Yandırma gecikmə vaxtı VDD=50V, VGS=10V,

RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A.

---

21

---

ns

Tr

Yüksəlmə vaxtı

---

18

---

Td(off)

Söndürmə gecikmə vaxtı

---

36

---

Tf

Payız vaxtı

---

10

---

Ciss

Giriş Kapasitansı VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz

---

3750

---

pF

Coss

Çıxış tutumu

---

395

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

180

---


  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin