WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET məhsulunun icmalı
WSD80120DN56 MOSFET-in gərginliyi 85V, cərəyan 120A, müqavimət 3.7mΩ, kanal N-kanal, paket DFN5X6-8-dir.
WINSOK MOSFET tətbiq sahələri
Tibbi gərginlik MOSFET, fotoqrafiya avadanlığı MOSFET, dron MOSFET, sənaye nəzarəti MOSFET, 5G MOSFET, avtomobil elektronikası MOSFET.
WINSOK MOSFET digər marka material nömrələrinə uyğundur
AOS MOSFET AON6276, AONS62814T.STMikroelektronika MOSFET STL13N8F7, STL135N8F7AG.
MOSFET parametrləri
Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər |
VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 85 | V |
VGS | Qapı-Source Gərginlik | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V | 120 | A |
ID@TC=100℃ | Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS@ 10V | 96 | A |
IDM | Pulsed Drenaj Cərəyanı..TC=25°C | 384 | A |
EAS | Avalanche Energy, Tək nəbz, L=0.5mH | 320 | mJ |
BMS | Uçqun cərəyanı, Tək nəbz, L=0.5mH | 180 | A |
PD@TC=25℃ | Ümumi Gücün Dağılması | 104 | W |
PD@TC=100℃ | Ümumi Gücün Dağılması | 53 | W |
TSTG | Saxlama Temperatur Aralığı | -55-dən 175-ə qədər | ℃ |
TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | 175 | ℃ |
Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
BVDSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSTemperatur əmsalı | 25-ə istinad℃, İD=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statik Drenaj Mənbəsi Müqaviməti | VGS=10V, ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS=VDS, İD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatur əmsalı | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Sızma Cərəyanı | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Qapı Müqaviməti | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Ümumi Qapı Yükü (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | --- | 11 | --- | ||
Td(açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
Tr | Yüksəlmə vaxtı | --- | 18 | --- | ||
Td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | --- | 36 | --- | ||
Tf | Payız vaxtı | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Giriş Kapasitansı | VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
Coss | Çıxış tutumu | --- | 395 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 180 | --- |