WSF4022 İkili N-Kanal 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Ümumi təsvir
WSF4022, həddindən artıq yüksək hüceyrə sıxlığına malik ən yüksək performanslı xəndək Dual N-Ch MOSFET-dir və bu, sinxron pul çevirici tətbiqlərinin əksəriyyəti üçün əla RDSON və qapı yükü təmin edir. WSF4022 RoHS və Yaşıl Məhsul tələblərinə cavab verir 100% EAS tam funksiyaya zəmanət verir. etibarlılığı təsdiq edilmişdir.
Xüsusiyyətlər
Fan Pre-driver H-Bridge, Motor İdarəetmə, Sinxron Rektifikasiya, Elektron siqaretlər, simsiz enerji doldurma, mühərriklər, təcili enerji təchizatı, dronlar, tibbi xidmət, avtomobil şarj cihazları, nəzarətçilər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası üçün.
Tətbiqlər
Fan Pre-driver H-Bridge, Motor İdarəetmə, Sinxron Rektifikasiya, Elektron siqaretlər, simsiz enerji doldurma, mühərriklər, təcili enerji təchizatı, dronlar, tibbi xidmət, avtomobil şarj cihazları, nəzarətçilər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası üçün.
müvafiq material nömrəsi
AOS
Vacib parametrlər
| Simvol | Parametr | Reytinq | Vahidlər | |
| VDS | Drenaj mənbəyi gərginliyi | 40 | V | |
| VGS | Gate-Mənbə Gərginliyi | ±20 | V | |
| ID | Drenaj cərəyanı (davamlı) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Drenaj cərəyanı (davamlı) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Drenaj cərəyanı (davamlı) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Drenaj cərəyanı (davamlı) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Pulsed Drenaj Cərəyanı | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Tək Pulse Avalanche Energy | L = 0,5 mH | 25 | mJ |
| BMS b | Uçqun cərəyanı | L = 0,5 mH | 17.8 | A |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Maksimum Gücün Dağılması | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Gücün dağılması | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Gücün dağılması | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu | 175 | ℃ | |
| TSTG | İşləmə temperaturu/ Saxlama temperaturu | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Termal Müqavimət Qovşağı-Ətraf mühit | Sabit vəziyyət c | 60 | ℃/W |
| RθJC | İstilik Müqavimətinin Korpusa Birləşməsi | 3.8 | ℃/W |
| Simvol | Parametr | Şərtlər | Min. | Tip. | Maks. | Vahid |
| Statik | ||||||
| V(BR)DSS | Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Sıfır Qapı Gərginliyi Drenaj Cərəyanı | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Sıfır Qapı Gərginliyi Drenaj Cərəyanı | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Qapı sızması cərəyanı | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Qapının eşik gərginliyi | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(on) d | Drenaj-Mənbə On-dövlət Müqaviməti | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Ümumi Qapı Yükü | VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source Charge | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Qapı-Drenaj Yükü | 2.75 | nC | |||
| Dinamik | ||||||
| Ciss | Giriş Kapasitansı | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Çıxış tutumu | 95 | pF | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 60 | pF | |||
| td (açıq) | Yandırma gecikmə vaxtı | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Yüksəlmə Vaxtını işə salın | 6.9 | ns | |||
| td(off) | Söndürmə gecikmə vaxtı | 22.4 | ns | |||
| tf | Payız vaxtı söndürülməsi | 4.8 | ns | |||
| Diod | ||||||
| VSDd | Diod İrəli Gərginliyi | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Giriş Kapasitansı | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Çıxış tutumu | 8.7 | nC | |||
