WSF70P02 P-Kanal -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

məhsullar

WSF70P02 P-Kanal -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

qısa təsvir:


  • Model nömrəsi:WSF70P02
  • BVDSS:-20V
  • RDSON:6,8 mΩ
  • ID:-70A
  • Kanal:P-Kanal
  • Paket:TO-252
  • Məhsul Yayı:WSF70P02 MOSFET -20V gərginliyə, -70A cərəyana, 6,8 mΩ müqavimətə, P-Kanalına və TO-252 qablaşdırmasına malikdir.
  • Tətbiqlər:Elektron siqaretlər, simsiz şarj cihazları, mühərriklər, enerji ehtiyat nüsxələri, dronlar, səhiyyə, avtomobil şarj cihazları, kontrollerlər, elektronika, məişət texnikası və istehlak malları.
  • Məhsul təfərrüatı

    Ərizə

    Məhsul Teqləri

    Ümumi təsvir

    WSF70P02 MOSFET yüksək hüceyrə sıxlığına malik P-kanallı xəndək cihazıdır. Bu, əksər sinxron dollar çevirici tətbiqləri üçün əla RDSON və qapı ödənişi təklif edir. Cihaz RoHS və Yaşıl Məhsul tələblərinə cavab verir, 100% EAS zəmanətlidir və tam funksional etibarlılıq üçün təsdiq edilmişdir.

    Xüsusiyyətlər

    Yüksək hüceyrə sıxlığı, super aşağı qapı yükü, CdV/dt effektində əla azalma, 100% EAS zəmanəti və ətraf mühitə uyğun cihazlar üçün seçimlərlə inkişaf etmiş Xəndək Texnologiyası.

    Tətbiqlər

    Yüksək Tezlikli Yük Nöqtəsi Sinxron, MB/NB/UMPC/VGA üçün Buck Dönüştürücü, Şəbəkə DC-DC Enerji Sistemi, Yük açarı, Elektron siqaretlər, simsiz enerji doldurma, mühərriklər, təcili enerji təchizatı, dronlar, tibbi xidmət, avtomobil şarj cihazları , nəzarətçilər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası.

    müvafiq material nömrəsi

    AOS

    Vacib parametrlər

    Simvol Parametr Reytinq Vahidlər
    10s Sabit Dövlət
    VDS Drenaj mənbəyi gərginliyi -20 V
    VGS Gate-Mənbə Gərginliyi ±12 V
    ID@TC=25℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V1 -70 A
    ID@TC=100℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V1 -36 A
    IDM Pulsed Drenaj Cərəyanı2 -200 A
    EAS Tək Pulse Avalanche Energy3 360 mJ
    BMS Uçqun cərəyanı -55.4 A
    PD@TC=25℃ Ümumi Gücün Dağılması4 80 W
    TSTG Saxlama Temperatur Aralığı -55 ilə 150 ​​arasında
    TJ Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu -55 ilə 150 ​​arasında
    Simvol Parametr Şərtlər Min. Tip. Maks. Vahid
    BVDSS Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V , ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatur əmsalı İstinad 25℃ , ID=-1mA --- -0,018 --- V/℃
    RDS(ON) Statik Drenaj Mənbə Müqaviməti2 VGS=-4.5V , ID=-15A --- 6.8 9.0
           
        VGS=-2.5V , ID=-10A --- 8.2 11  
    VGS(th) Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS , ID =-250uA -0.4 -0.6 -1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Temperatur əmsalı   --- 2.94 --- mV/℃
    IDSS Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs İrəli keçiricilik VDS=-5V , ID=-10A --- 45 --- S
    Qg Ümumi Qapı Yükü (-4.5V) VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A --- 63 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 9.1 ---
    Qgd Qapı-Drenaj Yükü --- 13 ---
    Td(açıq) Yandırma gecikmə vaxtı VDD=-10V , VGS=-4.5V ,

    RG=3.3Ω, ID=-10A

    --- 16 --- ns
    Tr Yüksəlmə vaxtı --- 77 ---
    Td(off) Söndürmə gecikmə vaxtı --- 195 ---
    Tf Payız vaxtı --- 186 ---
    Ciss Giriş Kapasitansı VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz --- 5783 --- pF
    Coss Çıxış tutumu --- 520 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 445 ---

  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin