WST4041 P-Kanal -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

məhsullar

WST4041 P-Kanal -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

qısa təsvir:


  • Model nömrəsi:WST4041
  • BVDSS:-40V
  • RDSON:30mΩ
  • ID:-6A
  • Kanal:P-Kanal
  • Paket:SOT-23-3L
  • Məhsul Yayı:WST4041 MOSFET -40V gərginliyə, -6A cərəyana, 30mΩ müqavimətə, P-Kanalına və SOT-23-3L qablaşdırmaya malikdir.
  • Tətbiqlər:Elektron siqaretlər, kontrollerlər, rəqəmsal məhsullar, kiçik məişət texnikası, məişət elektronikası.
  • Məhsul təfərrüatı

    Ərizə

    Məhsul Teqləri

    Ümumi təsvir

    WST4041, sinxron pul çeviricilərində istifadə üçün nəzərdə tutulmuş güclü P-kanallı MOSFET-dir. Əla RDSON və qapı yüklənməsinə imkan verən yüksək hüceyrə sıxlığına malikdir. WST4041 RoHS və Yaşıl Məhsul standartlarının tələblərinə cavab verir və etibarlı performans üçün 100% EAS zəmanəti ilə gəlir.

    Xüsusiyyətlər

    Qabaqcıl Xəndək Texnologiyası CdV/dt effektini əhəmiyyətli dərəcədə azaldan yüksək hüceyrə sıxlığı və super aşağı qapı yükü ilə xarakterizə olunur. Cihazlarımız 100% EAS zəmanəti və ekoloji cəhətdən təmiz seçimlərlə gəlir.

    Tətbiqlər

    Yüksək tezlikli yükləmə nöqtəsi sinxron pul çeviricisi, şəbəkə DC-DC enerji sistemi, yük açarı, elektron siqaretlər, nəzarətçilər, rəqəmsal cihazlar, kiçik məişət texnikası və məişət elektronikası.

    müvafiq material nömrəsi

    AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A, dintek DTS4501, ncepower NCE40P05Y,

    Vacib parametrlər

    Simvol Parametr Reytinq Vahidlər
    VDS Drenaj mənbəyi gərginliyi -40 V
    VGS Gate-Mənbə Gərginliyi ±20 V
    ID@TC=25℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V1 -6.0 A
    ID@TC=100℃ Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V1 -4.5 A
    IDM Pulsed Drenaj Cərəyanı2 -24 A
    EAS Tək Pulse Avalanche Energy3 12 mJ
    BMS Uçqun cərəyanı -7 A
    PD@TC=25℃ Ümumi Gücün Dağılması4 1.4 W
    TSTG Saxlama Temperatur Aralığı -55 ilə 150 ​​arasında
    TJ Əməliyyat qovşağının temperatur diapazonu -55 ilə 150 ​​arasında
    Simvol Parametr Şərtlər Min. Tip. Maks. Vahid
    BVDSS Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi VGS=0V , ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatur əmsalı İstinad 25℃ , ID=-1mA --- -0,03 --- V/℃
    RDS(ON) Statik Drenaj Mənbə Müqaviməti2 VGS=-10V , ID=-3A --- 30 40
    VGS=-4.5V , ID=-1A --- 40 58
    VGS(th) Qapının eşik gərginliyi VGS=VDS , ID =-250uA -0.8 -1.2 -2.2 V
    △VGS(th) VGS(th) Temperatur əmsalı --- 4.56 --- mV/℃
    IDSS Drenaj mənbəyinin sızması cərəyanı VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-Source Sızma Cərəyanı VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs İrəli keçiricilik VDS=-5V, ID=-3A --- 15 --- S
    Rg Qapı Müqaviməti VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 3.8 --- Ω
    Qg Ümumi Qapı Yükü (-4.5V) VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A --- 9.5 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.7 ---
    Qgd Qapı-Drenaj Yükü --- 2.0 ---
    Td(açıq) Yandırma gecikmə vaxtı VDD=-15V, VGS=-10V,

    RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω

    --- 8 --- ns
    Tr Yüksəlmə vaxtı --- 10 ---
    Td(off) Söndürmə gecikmə vaxtı --- 18 ---
    Tf Payız vaxtı --- 8 ---
    Ciss Giriş Kapasitansı VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz --- 420 --- pF
    Coss Çıxış tutumu --- 77 ---
    Crss Reverse Transfer Capacitance --- 55 ---

  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • Mesajınızı buraya yazın və bizə göndərin