MOSFET-lərin ciddi istilik generasiyasını həll etmək üçün fikirlər

Bilmirəm bir problem tapmısınız, MOSFET işləyərkən elektrik təchizatı avadanlığı kimi çıxış edir, bəzən ciddi istilik, istilik problemini həll etmək istəyir.MOSFET, əvvəlcə nəyin səbəb olduğunu müəyyən etməliyik, ona görə də problemin harada olduğunu öyrənmək üçün test etməliyik. kəşfi vasitəsiləMOS isitmə problem, düzgün əsas nöqtə testi seçmək üçün gedin, problemin həlli üçün əsas olan təhlilə uyğun gəlmir.

Enerji təchizatı testində, digər cihazların nəzarət dövrəsinin ölçülməsinə əlavə olaraq pin gərginliyinin ağır olaraq, ardından müvafiq gərginlik dalğa formasını ölçmək üçün bir osiloskop. Kommutasiya enerji təchizatının düzgün işləmədiyini müəyyən etməyə getdiyimiz zaman, enerji təchizatının harada ölçülməsi iş vəziyyətini əks etdirə bilər, normal deyil, PWM nəzarətçisinin çıxışı normal deyil, nəbz iş dövrü və amplituda normal deyil, MOSFET keçidi Transformatorun ikincil və birincil tərəfi də daxil olmaqla düzgün işləməməsi və rəyin çıxışı ağlabatan deyil.

Test nöqtəsinin ağlabatan bir seçim olub-olmaması çox vacibdir, düzgün seçim təhlükəsiz və etibarlı ölçmə ola bilər, həm də səbəbi tapmaq üçün problemləri tez bir zamanda aradan qaldırmağa imkan verir.

Ümumiyyətlə MOSFET isitmə səbəbi:

1: G-pole sürücü gərginliyi kifayət deyil.

2: Drenaj və mənbədən keçən Id cərəyanı çox yüksəkdir.

3: Sürmə tezliyi çox yüksəkdir.

Beləliklə, MOSFET-də testin diqqət mərkəzində, problemin kökü olan işini dəqiq sınamaq.

Qeyd etmək lazımdır ki, osiloskop testindən istifadə etməmiz lazım olduqda, giriş gərginliyinin tədricən artmasına xüsusi diqqət yetirməliyik, əgər pik gərginliyin və ya cərəyanın dizayn diapazonumuzdan kənarda olduğunu aşkar etdikdə, bu dəfə diqqət yetirməliyik. MOSFET-in istiləşməsi, anomaliya varsa, MOSFET-in zədələnməsinin qarşısını almaq üçün dərhal enerji təchizatını söndürməli, problemin olduğu yerdə problemləri həll etməlisiniz.