Böyük Paket MOSFET Sürücü Dövrü

İlk növbədə, MOSFET növü və quruluşu, MOSFET bir FETdir (digəri JFET), təkmilləşdirilmiş və ya tükənən tipdə, P-kanal və ya N-kanalda cəmi dörd növdə istehsal edilə bilər, lakin yalnız təkmilləşdirilmiş N-nin faktiki tətbiqi -kanallı MOSFET-lər və təkmilləşdirilmiş P-kanallı MOSFET-lər, adətən NMOSFET adlanır və ya PMOSFET adətən qeyd olunanlara aiddir NMOSFET və ya PMOSFET bu iki növə aiddir. Təkmilləşdirilmiş MOSFET-lərin bu iki növü üçün NMOSFET-lər aşağı müqavimətə və istehsal asanlığına görə daha çox istifadə olunur. Buna görə də, NMOSFET-lər ümumiyyətlə kommutasiya enerji təchizatı və motor sürücüsü tətbiqlərində istifadə olunur və aşağıdakı giriş də NMOSFET-lərə diqqət yetirir. parazit tutumu üç sancaq arasında mövcuddurMOSFET, bu lazım deyil, əksinə istehsal prosesinin məhdudiyyətləri ilə əlaqədardır. Parazit tutumun olması sürücü dövrəsinin dizaynını və ya seçilməsini bir qədər çətinləşdirir. Drenaj və mənbə arasında parazit diod var. Bu bədən diodu adlanır və mühərriklər kimi induktiv yüklərin idarə edilməsində vacibdir. Yeri gəlmişkən, gövdə diodu yalnız fərdi MOSFET-lərdə mövcuddur və adətən IC çipinin içərisində mövcud deyildir.

İndiMOSFETaşağı gərginlikli tətbiqləri idarə edərkən, 5V enerji təchizatı istifadə edildikdə, bu dəfə ənənəvi totem dirəyi quruluşundan istifadə etsəniz, tranzistor səbəbiylə təxminən 0.7V gərginlik düşməsi ola bilər, nəticədə faktiki son gərginlik qapısına əlavə olunur. 4.3 V. Bu zaman biz müəyyən risklərin mövcudluğuna görə MOSFET-in 4.5V nominal qapı gərginliyini seçirik. Eyni problem 3V və ya digər aşağı gərginlikli enerji təchizatı hallarının istifadəsində baş verir. İkili gərginlik bəzi idarəetmə sxemlərində istifadə olunur, burada məntiq bölməsi tipik 5V və ya 3.3V rəqəmsal gərginlikdən istifadə edir və güc bölməsi 12V və ya daha yüksək gərginlikdən istifadə edir. İki gərginlik ümumi torpaqdan istifadə edərək birləşdirilir. Bu, aşağı gərginlikli tərəfə yüksək gərginlikli tərəfdə MOSFET-i effektiv şəkildə idarə etməyə imkan verən bir dövrə istifadə etmək tələbini qoyur, yüksək gərginlikli tərəfdəki MOSFET isə 1 və 2-də qeyd olunan eyni problemlərlə üzləşəcək.

Hər üç halda, totem qütb strukturu çıxış tələblərinə cavab verə bilməz və bir çox hazır MOSFET sürücü IC-lərində gərginliyi məhdudlaşdıran bir quruluş yoxdur. Giriş gərginliyi sabit bir dəyər deyil, zamana və ya digər amillərə görə dəyişir. Bu dəyişiklik PWM dövrəsi tərəfindən MOSFET-ə verilən sürücü gərginliyinin qeyri-sabit olmasına səbəb olur. MOSFET-i yüksək qapı gərginliyindən təhlükəsiz etmək üçün bir çox MOSFET-də qapı gərginliyinin amplitüdünü zorla məhdudlaşdıran daxili gərginlik tənzimləyiciləri var. Bu halda, sürücünün gərginliyi gərginlik tənzimləyicisindən daha çox təmin edildikdə, eyni zamanda böyük bir statik enerji istehlakına səbəb olacaq, sadəcə olaraq qapı gərginliyini azaltmaq üçün rezistor gərginlik bölücü prinsipindən istifadə etsəniz, nisbətən yüksək olacaq. giriş gərginliyi,MOSFETyaxşı işləyir, giriş gərginliyi isə qapının gərginliyi tam keçiriciliyə səbəb olmaq üçün kifayət etmədikdə azalır və bununla da enerji istehlakı artır.

Burada nisbətən ümumi dövrə yalnız NMOSFET sürücü sxemi üçün sadə bir analiz etmək üçün: Vl və Vh aşağı səviyyəli və yüksək səviyyəli enerji təchizatıdır, iki gərginlik eyni ola bilər, lakin Vl Vh-dən çox olmamalıdır. Q1 və Q2 təcrid həyata keçirmək üçün istifadə və eyni zamanda iki sürücü boru Q3 və Q4 eyni vaxt keçiricilik olmayacaq təmin etmək üçün istifadə ters totem dirəyi təşkil edir. R2 və R3 PWM gərginliyini təmin edir R2 və R3 PWM gərginlik arayışını təmin edir, bu arayışı dəyişdirərək, dövrənin PWM siqnal dalğa formasında nisbətən dik və düz vəziyyətdə işləməsinə icazə verə bilərsiniz. Q3 və Q4 sürücü cərəyanını təmin etmək üçün istifadə olunur, çünki vaxtında Vh və GND-yə nisbətən Q3 və Q4 Vce gərginlik düşməsinin minimumu olur, bu gərginlik düşməsi adətən cəmi 0,3V və ya daha aşağı olur. 0.7V-dən çox Vce R5 və R6 geribildirim rezistorlarıdır, R5 və R6 darvazaları üçün istifadə edilən geribildirim rezistorlarıdır, daha sonra gərginlik yaratmaq üçün Q5-dən ötürülür. Q1 və Q2 əsasları üzərində güclü mənfi rəy, beləliklə, qapı gərginliyini sonlu bir dəyərlə məhdudlaşdırır. Bu dəyər R5 və R6 ilə tənzimlənə bilər. Nəhayət, R1 əsas cərəyanın Q3 və Q4-ə məhdudiyyətini təmin edir və R4, Q3Q4-ün Buzunun məhdudiyyəti olan MOSFET-lərə qapı cərəyanının məhdudlaşdırılmasını təmin edir. Lazım gələrsə, sürətləndirici kondansatör R4-dən yuxarı paralel olaraq qoşula bilər.