MOSFET kiçik cərəyan isitmə səbəbləri və tədbirləri

Göndərmə vaxtı: 19 may 2024-cü il

Yarımkeçiricilər sahəsində ən əsas cihazlardan biri kimi MOSFET-lər həm IC dizaynında, həm də lövhə səviyyəli sxemlərdə geniş istifadə olunur. Hal-hazırda, xüsusilə yüksək güclü yarımkeçiricilər sahəsində, MOSFET-lərin müxtəlif strukturları da əvəzedilməz rol oynayır. üçünMOSFET-lər, strukturu birdə sadə və mürəkkəb məcmuə demək olar, sadə quruluşuna görə sadədir, mürəkkəb onun dərindən mülahizəsinin tətbiqinə əsaslanır. Gündən-günə,MOSFET istilik də çox rast gəlinən bir vəziyyət olaraq qəbul edilir, səbəbləri haradan bilməmiz lazım olan açar və hansı üsullarla həll edilə bilər? Sonra gəlin başa düşmək üçün birləşək.

I. SəbəbləriMOSFET isitmə
1, dövrə dizaynı problemi. MOSFET-in keçid vəziyyətində deyil, onlayn vəziyyətdə işləməsinə icazə verməkdir. MOSFET-in istiləşməsinin səbəblərindən biri də budur. N-MOS keçid edirsə, G-səviyyəli gərginlik tam aktiv olmaq üçün enerji təchizatından bir neçə V yüksək olmalıdır və P-MOS üçün bunun əksi doğrudur. Tam açıq deyil və gərginlik düşməsi çox böyükdür, nəticədə enerji istehlakı, ekvivalent DC empedansı nisbətən böyükdür, gərginlik düşməsi artır, buna görə də U * I də artır, itki istilik deməkdir.

2, tezlik çox yüksəkdir. Əsasən bəzən həcm üçün çox olur, nəticədə artan tezlik, MOSFET itkilərinin artması ilə nəticələnir, bu da MOSFET-in istiləşməsinə səbəb olur.

3, cərəyan çox yüksəkdir. ID maksimum cərəyandan az olduqda, MOSFET-in istiləşməsinə də səbəb olacaq.

4, MOSFET modelinin seçimi səhvdir. MOSFET-in daxili müqaviməti tam nəzərə alınmır, nəticədə keçid empedansı artır.二、

MOSFET-in şiddətli istilik istehsalı üçün həll
1, MOSFET-in istilik qurğusunun dizaynında yaxşı bir iş edin.

2, Kifayət qədər köməkçi soyuducu əlavə edin.

3, istilik qəbuledici yapışdırıcını yapışdırın.