1.Birləşmə MOSFET pin identifikasiyası
QapısıMOSFET tranzistorun əsasını təşkil edir, drenaj və mənbə isə kollektor və emitentdirmüvafiq tranzistor. Multimetrdən R × 1k dişli, iki sancaq arasında irəli və geri müqaviməti ölçmək üçün iki qələm ilə. İki pinli irəli müqavimət = tərs müqavimət = KΩ olduqda, yəni mənbə S və drenaj D üçün iki sancaq, sancağın qalan hissəsi G qapısıdır. 4 pinlidirsəMOSFET qovşağı, digər dirək torpaqlanmış qalxanın istifadəsidir.
2.Qapını təyin edin
Multimetrin qara qələmi ilə MOSFET-ə təsadüfi elektroda, qırmızı qələm isə digər iki elektroda toxunur. Hər iki ölçülmüş müqavimət kiçikdirsə, hər ikisinin müsbət müqavimət olduğunu göstərir, boru N-kanal MOSFET-ə aiddir, eyni qara qələm kontaktı da qapıdır.
İstehsal prosesi, MOSFET-in drenajı və mənbəyinin simmetrik olduğuna və bir-biri ilə dəyişdirilə biləcəyinə və dövrənin istifadəsinə təsir etməyəcəyinə qərar verdi, dövrə də bu anda normaldır, buna görə getməyə ehtiyac yoxdur həddindən artıq fərqliliyə. Drenaj və mənbə arasındakı müqavimət təxminən bir neçə min ohm təşkil edir. MOSFET tipli izolyasiya edilmiş qapının qapısını təyin etmək üçün bu üsuldan istifadə edə bilməzsiniz. Bu MOSFET-in girişinin müqaviməti olduqca yüksək olduğundan və qapı ilə mənbə arasındakı qütblərarası tutum çox kiçik olduğundan, qütblərarası yükün üstündə kiçik bir yük kimi kiçik ölçülər meydana gələ bilər. MOSFET çox yüksək gərginliyin tutumu ilə zədələnməsi çox asan olacaq.
3. MOSFET-lərin gücləndirmə qabiliyyətinin qiymətləndirilməsi
Multimetr R × 100-ə təyin edildikdə, S mənbəyini birləşdirmək üçün qırmızı qələmdən istifadə edin və MOSFET-ə 1,5V gərginlik əlavə etmək kimi olan D drenajını birləşdirmək üçün qara qələmdən istifadə edin. Bu zaman iynə DS dirəyi arasındakı müqavimət dəyərini göstərir. Bu zaman barmağınızla G qapısını sıxın, gövdənin induksiya gərginliyi qapıya giriş siqnalı olaraq. MOSFET gücləndirilməsinin roluna görə ID və UDS dəyişəcək, yəni DS dirəyi arasındakı müqavimət dəyişdi, biz iynənin böyük bir yelləncək amplitudasına malik olduğunu müşahidə edə bilərik. Əl darvazanı sıxırsa, iynənin yellənməsi çox kiçikdir, yəni MOSFET gücləndirmə qabiliyyəti nisbətən zəifdir; iynənin ən kiçik bir hərəkəti yoxdursa, MOSFET-in zədələndiyini göstərir.
Göndərmə vaxtı: 18 iyul 2024-cü il
