I. MOSFET-in tərifi
Gərginliklə idarə olunan, yüksək cərəyanlı cihazlar kimi, MOSFET-lər sxemlərdə, xüsusən də enerji sistemlərində çoxlu sayda tətbiqlərə malikdir. Parazit diodlar kimi də tanınan MOSFET gövdə diodları inteqral sxemlərin litoqrafiyasında tapılmır, lakin yüksək cərəyanlarla idarə edildikdə və induktiv yüklər mövcud olduqda əks qorunma və cərəyanın davamını təmin edən ayrı-ayrı MOSFET cihazlarında tapılır.
Bu diodun mövcudluğuna görə, MOSFET cihazının sadəcə bir dövrədə keçidini görmək mümkün deyil, çünki doldurulma tamamlanan bir doldurma dövrəsində enerji çıxarılır və batareya xaricə çevrilir, bu adətən arzuolunmaz nəticədir.
Ümumi həll yolu tərs enerji təchizatının qarşısını almaq üçün arxa tərəfə bir diod əlavə etməkdir, lakin diodun xüsusiyyətləri 0,6 ~ 1V irəli gərginlik düşməsi ehtiyacını müəyyən edir, bu da yüksək cərəyanlarda ciddi istilik əmələ gəlməsi ilə nəticələnir, eyni zamanda israfa səbəb olur. enerjiyə qənaət etmək və ümumi enerji səmərəliliyini azaltmaq. Başqa bir üsul, enerji səmərəliliyinə nail olmaq üçün MOSFET-in aşağı müqavimətindən istifadə edərək arxa-arxaya MOSFET əlavə etməkdir.
Qeyd etmək lazımdır ki, ötürülmədən sonra MOSFET istiqamətsizdir, buna görə də təzyiqli keçiricilikdən sonra o, naqillə bərabərdir, yalnız rezistivdir, vəziyyətdə gərginlik düşmür, adətən bir neçə milliohm üçün doymuş müqavimət göstərir.vaxtında milliohm, və istiqamətsiz, DC və AC gücünün keçməsinə imkan verir.
II. MOSFET-lərin xüsusiyyətləri
1, MOSFET gərginliklə idarə olunan bir cihazdır, yüksək cərəyanları idarə etmək üçün heç bir hərəkət mərhələsinə ehtiyac yoxdur;
2、Yüksək giriş müqaviməti;
3, geniş əməliyyat tezliyi diapazonu, yüksək keçid sürəti, aşağı itki
4, AC rahat yüksək empedans, aşağı səs-küy.
5,Çoxlu paralel istifadə, çıxış cərəyanını artırın
İkincisi, ehtiyat tədbirləri prosesində MOSFET-lərin istifadəsi
Şəkil 1, MOSFET-in təhlükəsiz istifadəsini təmin etmək üçün, xətt dizaynında, boru kəmərinin enerji itkisi, maksimum sızma mənbəyi gərginliyi, qapı mənbəyinin gərginliyi və cərəyanı və digər parametr limit dəyərlərindən artıq olmamalıdır.
2, istifadədə olan müxtəlif növ MOSFETlər olmalıdırciddi şəkildə daxil olmaq MOSFET ofsetinin polaritesinə riayət etmək üçün dövrəyə tələb olunan qərəzli girişə uyğun olaraq.
3. MOSFET-i quraşdırarkən, qızdırıcı elementə yaxınlaşmamaq üçün quraşdırma mövqeyinə diqqət yetirin. Armaturların vibrasiyasını qarşısını almaq üçün qabığı sıxmaq lazımdır; sancağın əyilməsinin və sızmasının qarşısını almaq üçün pin tellərinin əyilməsi 5 mm-dən çox kök ölçüsündə aparılmalıdır.
Şəkil 4, son dərəcə yüksək giriş empedansına görə, MOSFET-lər daşınma və saxlama zamanı pindən qısaldılmalı və qapının xaricdən induksiya edilmiş potensial pozulmasının qarşısını almaq üçün metal qoruyucu ilə qablaşdırılmalıdır.
5. Birləşmə MOSFET-lərinin qapı gərginliyi geri çevrilə bilməz və açıq dövrə vəziyyətində saxlanıla bilər, lakin izolyasiya edilmiş qapılı MOSFET-lərin giriş müqaviməti istifadə edilmədikdə çox yüksək olur, buna görə də hər bir elektrod qısaqapanmalıdır. İzolyasiya edilmiş qapılı MOSFET-ləri lehimləyərkən mənbə-drenaj qapısı sırasına əməl edin və söndürüldükdə lehimləyin.
MOSFET-lərin təhlükəsiz istifadəsini təmin etmək üçün siz MOSFET-lərin xüsusiyyətlərini və prosesin istifadəsində görüləcək tədbirləri tam başa düşməlisiniz, ümid edirəm ki, yuxarıdakı xülasə sizə kömək edəcəkdir.
Göndərmə vaxtı: 15 may 2024-cü il
