IGBT (İzolyasiya edilmiş Qapı Bipolyar Transistor) və MOSFET (Metal-Oxide-Yarımkeçirici Sahə Təsirli Transistor) güc elektronikasında geniş istifadə olunan iki ümumi güc yarımkeçirici cihazıdır. Hər ikisi müxtəlif tətbiqlərdə vacib komponentlər olsa da, bir neçə aspektdə əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənirlər. IGBT və MOSFET arasındakı əsas fərqlər aşağıdakılardır:
1. İş prinsipi
- IGBT: IGBT həm BJT (Bipolar Junction Transistor) və həm də MOSFET-in xüsusiyyətlərini özündə birləşdirərək onu hibrid cihaz edir. O, BJT-nin əsasını MOSFET-in qapı gərginliyi vasitəsilə idarə edir, bu da öz növbəsində BJT-nin keçiriciliyini və kəsilməsini idarə edir. IGBT-nin keçiriciliyi və kəsilməsi prosesləri nisbətən mürəkkəb olsa da, aşağı keçirici gərginlik itkiləri və yüksək gərginliyə dözümlülük xüsusiyyətlərinə malikdir.
- MOSFET: MOSFET yarımkeçiricidəki cərəyanı qapı gərginliyi vasitəsilə idarə edən sahə effektli tranzistordur. Qapı gərginliyi mənbə gərginliyini aşdıqda, cərəyanın axmasına imkan verən keçirici təbəqə meydana gəlir. Əksinə, qapının gərginliyi eşikdən aşağı olduqda, keçirici təbəqə yox olur və cərəyan keçə bilməz. MOSFET-in işləməsi nisbətən sadədir, sürətli keçid sürəti ilə.
2. Tətbiq Sahələri
- IGBT: Yüksək gərginliyə dözümlülüyü, aşağı keçirmə gərginliyi itkisi və sürətli keçid performansına görə IGBT xüsusilə invertorlar, motor sürücüləri, qaynaq maşınları və fasiləsiz enerji təchizatı (UPS) kimi yüksək güclü, az itkili tətbiqlər üçün uyğundur. . Bu tətbiqlərdə IGBT yüksək gərginlikli və yüksək cərəyanlı keçid əməliyyatlarını səmərəli şəkildə idarə edir.
- MOSFET: Sürətli reaksiyası, yüksək giriş müqaviməti, sabit keçid performansı və aşağı qiyməti ilə MOSFET, keçid rejimli enerji təchizatı, işıqlandırma, səs gücləndiriciləri və məntiq sxemləri kimi aşağı güclü, sürətli keçid tətbiqlərində geniş istifadə olunur. . MOSFET aşağı güc və aşağı gərginlikli tətbiqlərdə olduqca yaxşı işləyir.
3. Performans Xüsusiyyətləri
- IGBT: IGBT daha az keçirici itkilərlə əhəmiyyətli gücü idarə etmək qabiliyyətinə görə yüksək gərginlikli, yüksək cərəyan tətbiqlərində üstündür, lakin MOSFET-lərlə müqayisədə daha yavaş keçid sürətinə malikdir.
- MOSFET: MOSFET-lər daha sürətli keçid sürəti, aşağı gərginlikli tətbiqlərdə daha yüksək səmərəlilik və daha yüksək keçid tezliklərində daha az enerji itkiləri ilə xarakterizə olunur.
4. Bir-birini əvəz etmək imkanı
IGBT və MOSFET müxtəlif məqsədlər üçün nəzərdə tutulub və istifadə olunur və adətən bir-birini əvəz etmək olmur. Hansı cihazın istifadə ediləcəyi seçimi xüsusi tətbiqdən, performans tələblərindən və qiymət mülahizələrindən asılıdır.
Nəticə
IGBT və MOSFET iş prinsipi, tətbiq sahələri və performans xüsusiyyətləri baxımından əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənir. Bu fərqlərin başa düşülməsi enerji elektronikası dizaynları üçün uyğun cihazın seçilməsinə, optimal performansın və qənaətcilliyin təmin edilməsinə kömək edir.
Göndərmə vaxtı: 21 sentyabr 2024-cü il
