MOSFET, Metal-Oxide-Yarımkeçirici Sahə Təsirli Tranzistor kimi tanınan, Sahə Təsirli Transistor (FET) növünə aid geniş istifadə olunan elektron cihazdır. Əsas strukturubir MOSFETmetal qapıdan, oksid izolyasiya edən təbəqədən (adətən Silikon Dioksid SiO₂) və yarımkeçirici təbəqədən (adətən silisium Si) ibarətdir. Əməliyyat prinsipi yarımkeçiricinin səthində və ya içərisində elektrik sahəsini dəyişdirmək üçün qapı gərginliyini idarə etməkdir, beləliklə mənbə və drenaj arasında cərəyanı idarə edir.
MOSFET-ləriki əsas növə bölmək olar: N-kanalMOSFET-lər(NMOS) və P-kanalıMOSFET-lər(PMOS). NMOS-da qapı gərginliyi mənbəyə nisbətən müsbət olduqda, yarımkeçirici səthdə elektronların mənbədən drenaja axmasına imkan verən n tipli keçirici kanallar əmələ gəlir. PMOS-da, qapının gərginliyi mənbəyə nisbətən mənfi olduqda, yarımkeçirici səthdə p-tipli keçirici kanallar əmələ gəlir ki, bu da deşiklərin mənbədən drenaja axmasına imkan verir.
MOSFET-ləryüksək giriş empedansı, aşağı səs-küy, aşağı enerji istehlakı və inteqrasiya asanlığı kimi bir çox üstünlüklərə malikdir, buna görə də onlar analoq sxemlərdə, rəqəmsal sxemlərdə, enerjinin idarə edilməsində, enerji elektronikasında, rabitə sistemlərində və digər sahələrdə geniş istifadə olunur. İnteqral sxemlərdə,MOSFET-lərCMOS (Tamamlayıcı Metal Oksid Yarımkeçirici) məntiq sxemlərini təşkil edən əsas vahidlərdir. CMOS sxemləri NMOS və PMOS-un üstünlüklərini birləşdirir və aşağı enerji istehlakı, yüksək sürət və yüksək inteqrasiya ilə xarakterizə olunur.
Bundan əlavə,MOSFET-lərkeçirici kanallarının əvvəlcədən əmələ gəlib-gəlməməsinə görə gücləndirici tipli və tükənən tipli olaraq təsnif edilə bilər. Təkmilləşdirmə növüMOSFETkanal keçirici olmadıqda qapıda gərginlik sıfırdır, keçirici kanal yaratmaq üçün müəyyən bir qapı gərginliyi tətbiq etmək lazımdır; tükənmə növü isəMOSFETkanal artıq keçirici olduqda darvaza gərginliyi sıfırdır, qapının gərginliyi kanalın keçiriciliyinə nəzarət etmək üçün istifadə olunur.
Xülasə,MOSFETmetal oksid yarımkeçirici konstruksiyaya əsaslanan sahə effektli tranzistordur, qapının gərginliyini idarə etməklə mənbə və drenaj arasında cərəyanı tənzimləyir və geniş tətbiq sahəsinə və mühüm texniki dəyərə malikdir.
Göndərmə vaxtı: 12 sentyabr 2024-cü il
