MOSFET (Metal-Oxide-Yarıkeçirici Sahə Təsirli Transistor) üç qütbə malikdir, bunlar:
Qapı:G, MOSFET-in qapısı bipolyar tranzistorun bazasına bərabərdir və MOSFET-in keçiriciliyini və kəsilməsini idarə etmək üçün istifadə olunur. MOSFET-lərdə qapı gərginliyi (Vgs) mənbə ilə drenaj arasında keçirici kanalın əmələ gəlib-gəlmədiyini, həmçinin keçirici kanalın eni və keçiriciliyini müəyyən edir. Darvaza metal, polisilikon və s. kimi materiallardan hazırlanmışdır və cərəyanın birbaşa qapıya daxil və ya ondan çıxmasının qarşısını almaq üçün izolyasiya təbəqəsi (adətən silikon dioksid) ilə əhatə olunmuşdur.
Mənbə:S, MOSFET-in mənbəyi bipolyar tranzistorun emitentinə bərabərdir və cərəyanın axdığı yerdir. N-kanallı MOSFET-lərdə mənbə adətən enerji təchizatının mənfi terminalına (və ya yerə) qoşulur, P-kanallı MOSFET-lərdə isə mənbə enerji təchizatının müsbət terminalına qoşulur. Mənbə, keçid gərginliyi kifayət qədər yüksək olduqda, drenaja elektronları (N-kanal) və ya deşikləri (P-kanal) göndərən keçirici kanalı təşkil edən əsas hissələrdən biridir.
Drenaj:D, MOSFET-in drenajı bipolyar tranzistorun kollektoruna bərabərdir və cərəyanın daxil olduğu yerdir. Drenaj adətən yükə bağlıdır və dövrədə cərəyan çıxışı kimi çıxış edir. MOSFET-də drenaj keçirici kanalın digər ucudur və darvaza gərginliyi mənbə ilə drenaj arasında keçirici kanalın formalaşmasına nəzarət etdikdə, cərəyan mənbədən keçirici kanal vasitəsilə drenaja axa bilər.
Qısaca desək, MOSFET-in qapısı işə salmaq və söndürmək üçün istifadə olunur, mənbə cərəyanın axdığı yer və drenaj cərəyanın daxil olduğu yerdir. Bu üç qütb birlikdə MOSFET-in iş vəziyyətini və performansını müəyyən edir. .
Göndərmə vaxtı: 26 sentyabr 2024-cü il
