N-Kanal MOSFET, N-Kanallı Metal Oksid-Yarımkeçirici Sahə Təsirli Transistor, MOSFET-in mühüm növüdür. Aşağıda N-kanallı MOSFET-lərin ətraflı izahı verilmişdir:
I. Əsas quruluş və kompozisiya
N-kanallı MOSFET aşağıdakı əsas komponentlərdən ibarətdir:
Qapı:mənbə və drenaj arasındakı keçirici kanala nəzarət etmək üçün qapı gərginliyini dəyişdirərək idarəetmə terminalı.· ·
Mənbə:Cari çıxış, adətən dövrənin mənfi tərəfinə bağlıdır.· ·
Drenaj: cərəyan axını, adətən dövrənin yükü ilə bağlıdır.
Substrat:Adətən MOSFET-lər üçün substrat kimi istifadə olunan P tipli yarımkeçirici materialdır.
İzolyator:Qapı və kanal arasında yerləşir, adətən silikon dioksiddən (SiO2) hazırlanır və izolyator rolunu oynayır.
II. Əməliyyat prinsipi
N-kanallı MOSFET-in iş prinsipi aşağıdakı kimi davam edən elektrik sahəsinin təsirinə əsaslanır:
Kəsmə statusu:Qapı gərginliyi (Vgs) eşik gərginliyindən (Vt) aşağı olduqda, darvazanın altındakı P tipli substratda heç bir N tipli keçirici kanal əmələ gəlmir və buna görə də mənbə ilə drenaj arasında kəsmə vəziyyəti mövcuddur. və cərəyan keçə bilməz.
Keçiricilik vəziyyəti:Qapı gərginliyi (Vgs) həddi gərginlikdən (Vt) yüksək olduqda, darvazanın altındakı P tipli substratda olan deşiklər dəf edilir və tükənmə təbəqəsi əmələ gəlir. Qapı gərginliyinin daha da artması ilə elektronlar P tipli substratın səthinə çəkilərək N tipli keçirici kanal əmələ gətirir. Bu nöqtədə mənbə ilə drenaj arasında bir yol əmələ gəlir və cərəyan keçə bilər.
III. Növləri və xüsusiyyətləri
N-kanallı MOSFET-lər xüsusiyyətlərinə görə, Enhancement-Mode və Depletion-Mode kimi müxtəlif növlərə təsnif edilə bilər. Onların arasında, Enhancement-Mode MOSFET-lər qapı gərginliyi sıfır olduqda kəsilmə vəziyyətindədirlər və həyata keçirmək üçün müsbət qapı gərginliyi tətbiq etməlidirlər; Qapı gərginliyi sıfır olduqda, tükənmə rejimi MOSFET-lər artıq keçirici vəziyyətdədir.
N-kanallı MOSFET-lər bir çox əla xüsusiyyətlərə malikdir, məsələn:
Yüksək giriş empedansı:MOSFET-in qapısı və kanalı izolyasiya təbəqəsi ilə təcrid olunub, nəticədə son dərəcə yüksək giriş empedansı yaranır.
Aşağı səs-küy:MOSFET-lərin işləməsi azlıq daşıyıcılarının vurulması və birləşməsini nəzərdə tutmadığından, səs-küy azdır.
Aşağı enerji istehlakı: MOSFET-lər həm açıq, həm də söndürülmüş vəziyyətdə aşağı enerji istehlakına malikdir.
Yüksək sürətli keçid xüsusiyyətləri:MOSFET-lər son dərəcə sürətli keçid sürətinə malikdir və yüksək tezlikli sxemlər və yüksək sürətli rəqəmsal sxemlər üçün uyğundur.
IV. Tətbiq sahələri
N-kanallı MOSFET-lər əla performanslarına görə müxtəlif elektron cihazlarda geniş istifadə olunur, məsələn:
Rəqəmsal sxemlər:Məntiq qapısı sxemlərinin əsas elementi olaraq, rəqəmsal siqnalların işlənməsini və nəzarətini həyata keçirir.
Analoq sxemlər:Gücləndiricilər və filtrlər kimi analoq sxemlərdə əsas komponent kimi istifadə olunur.
Elektrik Elektronikası:Kommutasiya enerji təchizatı və motor sürücüləri kimi güc elektron cihazlarına nəzarət etmək üçün istifadə olunur.
Digər sahələr:LED işıqlandırma, avtomobil elektronikası, simsiz rabitə və digər sahələrdə də geniş istifadə olunur.
Xülasə, N-kanallı MOSFET mühüm yarımkeçirici cihaz kimi müasir elektron texnologiyada əvəzolunmaz rol oynayır.
Göndərmə vaxtı: 13 sentyabr 2024-cü il
