İkincisi, sistem məhdudiyyətlərinin ölçüsü
Bəzi elektron sistemlər PCB ölçüsü və daxili ilə məhdudlaşır hündürlük, srabitə sistemləri kimi, hündürlük məhdudiyyətlərinə görə modul enerji təchizatı adətən DFN5 * 6, DFN3 * 3 paketindən istifadə edir; bəzi ACDC enerji təchizatı, ultra-nazik dizayn istifadə və ya qabığın məhdudiyyətlər səbəbiylə, hündürlüyü məhdudiyyətlər kök birbaşa daxil güc MOSFET ayaqları TO220 paketinin montaj TO247 paketi istifadə edə bilməz. Bəzi ultra nazik dizayn birbaşa cihazın sancaqlarını düz əyərək, bu dizayn istehsal prosesi mürəkkəbləşəcək.
Üçüncüsü, şirkətin istehsal prosesi
TO220 iki növ paketə malikdir: çılpaq metal paket və tam plastik paket, çılpaq metal paket istilik müqaviməti kiçikdir, istilik yayma qabiliyyəti güclüdür, lakin istehsal prosesində izolyasiya düşməsi əlavə etməlisiniz, istehsal prosesi mürəkkəb və bahalıdır, tam plastik paketin istilik müqaviməti böyük olsa da, istilik yayma qabiliyyəti zəifdir, lakin istehsal prosesi sadədir.
Vintlərin süni şəkildə bağlanması prosesini azaltmaq üçün son illərdə bəzi elektron sistemlər elektrik enerjisi üçün kliplərdən istifadə edir.MOSFET-lər istilik sink ilə clamped, belə ki, ənənəvi TO220 hissəsinin yuxarı hissəsi çıxması encapsulation yeni formada deşik aradan qaldırılması, həm də cihazın hündürlüyü azaltmaq üçün.
Dördüncüsü, xərclərə nəzarət
Masa üstü anakart və lövhələr kimi bəzi çox xərc tələb edən tətbiqlərdə DPAK paketlərindəki güc MOSFET-ləri adətən belə paketlərin aşağı qiyməti səbəbindən istifadə olunur. Buna görə də, bir güc MOSFET paketi seçərkən, şirkətlərinin üslubu və məhsul xüsusiyyətləri ilə birlikdə yuxarıda göstərilən amilləri nəzərə alın.
Beşincisi, əksər hallarda BVDSS müqavimət gərginliyini seçin, çünki giriş vo dizaynıelektron dövrü sistem nisbətən sabitdir, şirkət bəzi materialların müəyyən bir təchizatçısını seçdi, məhsulun nominal gərginliyi də sabitdir.
Məlumat vərəqindəki güc MOSFET-lərinin BVDSS qırılma gərginliyi müxtəlif şərtlərdə fərqli dəyərlərlə müəyyən edilmiş sınaq şərtlərinə malikdir və BVDSS müsbət temperatur əmsalına malikdir, bu amillərin birləşməsinin faktiki tətbiqində hərtərəfli nəzərə alınmalıdır.
Bir çox məlumat və ədəbiyyat tez-tez xatırlanır: MOSFET VDS sistemi ən yüksək sıçrayış gərginliyi ilə BVDSS-dən çox olarsa, sünbül impulsunun gərginlik müddəti yalnız bir neçə və ya onlarla ns olsa belə, MOSFET gücü uçqun düşəcək. və beləliklə, zədələnmə baş verir.
Transistorlar və IGBT-dən fərqli olaraq, güc MOSFET-ləri uçqunlara qarşı müqavimət göstərmək qabiliyyətinə malikdir və bir çox böyük yarımkeçirici şirkətlər MOSFET-in uçqun enerjisini istehsal xəttində tam yoxlama, 100% aşkar etməkdir, yəni məlumatlarda bu zəmanətli ölçmə, uçqun gərginliyidir. adətən 1,2 ~ 1,3 dəfə BVDSS baş verir və vaxt müddəti adətən μs, hətta ms səviyyəsində, sonra yalnız bir neçə və ya onlarla ns müddəti, uçqun gərginlik sünbül nəbz gərginliyi çox aşağı zərər deyil. güc MOSFET.
Altı, sürücü gərginliyi seçimi VTH ilə
Müxtəlif elektron güc sistemləri MOSFET-lərin seçilmiş sürücü gərginliyi eyni deyil, AC / DC enerji təchizatı adətən 12V sürücü gərginliyindən istifadə edir, notebookun anakartı DC / DC çeviricisi 5V sürücü gərginliyindən istifadə edir, buna görə sistemin sürücülük gərginliyinə uyğun olaraq fərqli bir həddi gərginlik seçin. VTH güc MOSFETləri.
Məlumat vərəqindəki güc MOSFET-lərinin VTH həddi gərginliyi də müəyyən edilmiş sınaq şərtlərinə malikdir və müxtəlif şərtlərdə fərqli dəyərlərə malikdir və VTH mənfi temperatur əmsalına malikdir. Fərqli sürücü gərginlikləri VGS müxtəlif on-müqavimətlərə uyğundur və praktik tətbiqlərdə temperaturu nəzərə almaq vacibdir.
Praktik tətbiqlərdə, MOSFET-in gücünün tam olaraq işə salınmasını təmin etmək üçün temperatur dəyişiklikləri nəzərə alınmalı, eyni zamanda bağlanma prosesi zamanı G-qütbünə birləşdirilmiş sünbül impulslarının yanlış tetikleme ilə tetiklenmeyeceğini təmin etmək lazımdır. düz və ya qısaqapanma yaradır.
Göndərmə vaxtı: 03 avqust 2024-cü il
