Hal-hazırda, elm və texnologiyanın sürətli inkişafı ilə yarımkeçiricilər getdikcə daha çox sənaye sahələrində istifadə olunur.MOSFET həm də çox yayılmış yarımkeçirici cihaz hesab olunur, növbəti addım bipolyar güc kristal tranzistorunun xüsusiyyətləri ilə MOSFET çıxış gücü arasındakı fərqin nə olduğunu anlamaqdır.
1, iş üsulu
MOSFET işləmə gərginliyini təşviq etmək üçün tələb olunan işdir, dövrə diaqramları nisbətən sadə izah edir, kiçik gücünü təşviq edir; güc kristal tranzistor, proqram dizaynını təşviq etmək üçün bir güc axınıdır, daha mürəkkəbdir, seçim spesifikasiyasını təşviq etmək çətin olan spesifikasiyanı təşviq etmək üçün enerji təchizatı ümumi keçid sürətini təhlükə altına qoyur.
2, enerji təchizatının ümumi keçid sürəti
Temperaturdan təsirlənən MOSFET kiçikdir, enerji təchizatı kommutasiya çıxış gücü 150KHz-dən çox olmasını təmin edə bilər; güc kristal tranzistorunun çox az sayda pulsuz yükləmə saxlama müddəti onun enerji təchizatı keçid sürətinə malikdir, lakin onun çıxış gücü ümumiyyətlə 50KHz-dən çox deyil.
3, Təhlükəsiz iş sahəsi
Güc MOSFET ikinci dərəcəli əsası yoxdur və təhlükəsiz iş sahəsi genişdir; güc kristal tranzistoru təhlükəsiz iş sahəsini məhdudlaşdıran ikincil əsas vəziyyətə malikdir.
4, Elektrik dirijorunun iş tələbi iş gərginliyi
GücMOSFET yüksək gərginlikli tipə aiddir, keçirici iş tələbi iş gərginliyi daha yüksəkdir, müsbət temperatur əmsalı var; güc kristal tranzistor nə qədər pul iş tələbi iş gərginliyinə davamlı olsa da, elektrik dirijorunun iş tələbi iş gərginliyi aşağıdır və mənfi temperatur əmsalı var.
5, maksimum güc axını
Güc MOSFET kommutasiya enerji təchizatı dövrəsində enerji təchizatı dövrəsinin enerji təchizatı dövrəsində bir enerji təchizatı açarı kimi, əməliyyatda və ortada sabit işdə, maksimum enerji axını aşağıdır; və güc kristal tranzistoru əməliyyatda və ortada sabit iş, maksimum güc axını daha yüksəkdir.
6, Məhsulun dəyəri
MOSFET enerjisinin dəyəri bir qədər yüksəkdir; güc kristal triodunun qiyməti bir qədər aşağıdır.
7, Penetrasiya effekti
Power MOSFET-in nüfuzedici təsiri yoxdur; güc kristal tranzistoru nüfuz effektinə malikdir.
8, keçid itkisi
MOSFET keçid itkisi böyük deyil; güc kristal tranzistorunun keçid itkisi nisbətən böyükdür.
Bundan əlavə, gücün böyük əksəriyyəti MOSFET inteqrasiya şok uducu diod, bipolyar güc kristal tranzistor demək olar ki, heç bir inteqrasiya amortizator diode.MOSFET amortizator diod da güc faktoru bucağı vermək üçün enerji təchizatı sxemlərinin maqnit rulonlarda keçid üçün universal bir maqnit ola bilər. enerji axını təhlükəsizlik kanalının. Şok uducu diodda sahə effekti borusu bütün prosesdə ümumi diod ilə sönmə zamanı əks bərpa cərəyanının mövcudluğu kimi, bu zaman bir tərəfdən diod drenajı götürmək üçün - mənbə dirəyi müsbət ortada əhəmiyyətli bir digər tərəfdən iş gərginliyinin iş tələblərinin yüksəlməsi və əks bərpa cərəyanı axını.
Göndərmə vaxtı: 24 may 2024-cü il
