MOSFET-lər (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Tranzistor) çox vaxt tam idarə olunan cihazlar hesab olunur. Bunun səbəbi, MOSFET-in işləmə vəziyyətinin (açıq və ya söndürülməsi) tam olaraq qapı gərginliyi (Vgs) tərəfindən idarə olunur və bipolyar tranzistorda (BJT) olduğu kimi əsas cərəyandan asılı deyildir.
MOSFET-də qapı gərginliyi Vgs mənbə ilə drenaj arasında keçirici kanalın əmələ gəlib-gəlmədiyini, həmçinin keçirici kanalın eni və keçiriciliyini müəyyən edir. Vgs həddi Vt gərginliyini aşdıqda, keçirici kanal əmələ gəlir və MOSFET on-dövlətə daxil olur; Vgs Vt-dən aşağı düşdükdə keçirici kanal yox olur və MOSFET kəsilmə vəziyyətindədir. Bu nəzarət tam idarə olunur, çünki qapı gərginliyi digər cərəyan və ya gərginlik parametrlərinə etibar etmədən MOSFET-in iş vəziyyətini müstəqil və dəqiq idarə edə bilir.
Bunun əksinə olaraq, yarım idarə olunan cihazların (məsələn, tiristorlar) iş vəziyyətinə yalnız nəzarət gərginliyi və ya cərəyan deyil, həm də digər amillər (məsələn, anod gərginliyi, cərəyan və s.) təsir göstərir. Nəticədə, tam idarə olunan cihazlar (məsələn, MOSFET) adətən nəzarət dəqiqliyi və çeviklik baxımından daha yaxşı performans təklif edir.
Xülasə, MOSFET-lər tam idarə olunan cihazlardır, onların iş vəziyyəti tam olaraq qapı gərginliyi ilə idarə olunur və yüksək dəqiqlik, yüksək elastiklik və aşağı enerji istehlakı üstünlüklərinə malikdir.
Göndərmə vaxtı: 20 sentyabr 2024-cü il
