Field Effect Transistor kimi qısaldılmışdırMOSFET.İki əsas növü var: qovşaq sahəsi effektli borular və metal-oksid yarımkeçirici sahə effektli borular. MOSFET, həmçinin keçiricilikdə iştirak edən daşıyıcıların əksəriyyəti ilə birqütblü tranzistor kimi tanınır. Onlar gərginliklə idarə olunan yarımkeçirici cihazlardır. Yüksək giriş müqaviməti, aşağı səs-küy, aşağı enerji istehlakı və digər xüsusiyyətlərə görə onu bipolyar tranzistorlar və güc tranzistorlarına güclü rəqib edir.
I. MOSFET-in əsas parametrləri
1, DC parametrləri
Doyma boşalma cərəyanı, darvaza ilə mənbə arasındakı gərginliyin sıfıra bərabər olduğu və drenaj ilə mənbə arasındakı gərginliyin sıxma gərginliyindən böyük olduğu zamana uyğun gələn drenaj cərəyanı kimi müəyyən edilə bilər.
Pinch-off gərginliyi UP: UDS müəyyən olduqda ID-ni kiçik bir cərəyana endirmək üçün tələb olunan UGS;
Açılan gərginlik UT: UDS əmin olduqda ID-ni müəyyən bir dəyərə gətirmək üçün UGS tələb olunur.
2, AC Parametrləri
Aşağı tezlikli keçiricilik gm : Qapı və mənbə gərginliyinin drenaj cərəyanına nəzarət təsirini təsvir edir.
Qütblərarası tutum: MOSFET-in üç elektrodu arasındakı tutum, dəyər nə qədər kiçik olarsa, performans daha yaxşı olar.
3、Limit parametrləri
Drenaj, mənbənin qırılma gərginliyi: drenaj cərəyanı kəskin yüksəldikdə, UDS-də uçqun qırılmasına səbəb olacaqdır.
Qapının qırılma gərginliyi: qovşaq sahəsinin təsiri borusu normal işləməsi, PN qovşağı arasında əks meyl vəziyyətində olan qapı və mənbə, cərəyan pozulmaq üçün çox böyükdür.
II. XüsusiyyətləriMOSFET-lər
MOSFET gücləndirmə funksiyasına malikdir və gücləndirilmiş dövrə yarada bilər. Triodla müqayisədə o, aşağıdakı xüsusiyyətlərə malikdir.
(1) MOSFET gərginliklə idarə olunan cihazdır və potensial UGS tərəfindən idarə olunur;
(2) MOSFET-in girişindəki cərəyan son dərəcə kiçikdir, ona görə də onun giriş müqaviməti çox yüksəkdir;
(3) Onun temperatur sabitliyi yaxşıdır, çünki keçiricilik üçün əksər daşıyıcılardan istifadə edir;
(4) Onun gücləndirmə dövrəsinin gərginlik gücləndirmə əmsalı trioddan kiçikdir;
(5) Radiasiyaya daha davamlıdır.
üçüncü,MOSFET və tranzistorların müqayisəsi
(1) MOSFET mənbəyi, qapısı, drenajı və triod mənbəyi, bazası, təyin nöqtəsi dirəyi oxşar roluna uyğundur.
(2) MOSFET gərginliklə idarə olunan cərəyan cihazıdır, gücləndirmə əmsalı kiçikdir, gücləndirmə qabiliyyəti zəifdir; triod cərəyanla idarə olunan gərginlik cihazıdır, gücləndirmə qabiliyyəti güclüdür.
(3) MOSFET qapısı əsasən cərəyan qəbul etmir; və triod işi, baza müəyyən bir cərəyanı udacaq. Buna görə də, MOSFET qapısının giriş müqaviməti triodun giriş müqavimətindən daha yüksəkdir.
(4) MOSFET-in keçirici prosesində politron, triodda isə iki növ daşıyıcı, politron və oliqotron iştirak edir və onun oliqotron konsentrasiyası temperatur, radiasiya və digər amillərdən çox təsirlənir, buna görə də MOSFET tranzistordan daha yaxşı temperatur sabitliyinə və radiasiya müqavimətinə malikdir. Ətraf mühit şəraiti çox dəyişdikdə MOSFET seçilməlidir.
(5) MOSFET mənbə metalına və substrata qoşulduqda, mənbə və drenaj dəyişdirilə bilər və xarakteristikalar çox dəyişmir, tranzistorun kollektoru və emitenti dəyişdirildikdə, xüsusiyyətlər fərqli olur və β dəyəri azaldılır.
(6) MOSFET-in səs-küy göstəricisi kiçikdir.
(7) MOSFET və triod müxtəlif gücləndirici dövrələrdən və keçid sxemlərindən ibarət ola bilər, lakin birincisi daha az enerji, yüksək istilik sabitliyi, geniş diapazonlu təchizatı gərginliyi istehlak edir, buna görə də genişmiqyaslı və ultra-böyük şəbəkələrdə geniş istifadə olunur. miqyaslı inteqral sxemlər.
(8) Triodun on-müqaviməti böyükdür və MOSFET-in müqaviməti kiçikdir, buna görə də MOSFET-lər ümumiyyətlə daha yüksək effektivliyə malik açarlar kimi istifadə olunur.
Göndərmə vaxtı: 16 may 2024-cü il
