Bugünkü MOS sürücüləri ilə bir neçə qeyri-adi tələblər var:
1. Aşağı gərginlik tətbiqi
5V keçid tətbiq edildikdəenerji təchizatı, bu zaman ənənəvi totem qütb strukturu istifadə əgər, çünki triod yalnız 0.7V yuxarı və aşağı itkisi, nəticədə gərginlik xüsusi son yük qapısı yalnız 4.3V, bu zaman, icazə gate gərginlik istifadə. 4.5VMOSFET-lər müəyyən dərəcədə risk var.Eyni vəziyyət 3V və ya digər aşağı gərginlikli kommutasiya enerji təchizatının tətbiqində də baş verir.
2.Wide gərginlik tətbiqi
Anahtarlama gərginliyinin ədədi dəyəri yoxdur, o, vaxtaşırı və ya digər amillərə görə dəyişir. Bu dəyişiklik PWM dövrəsi tərəfindən MOSFET-ə verilən sürücü gərginliyinin qeyri-sabit olmasına səbəb olur.
MOSFET-i yüksək qapı gərginliklərində daha yaxşı təmin etmək üçün bir çox MOSFET-lər qapı gərginliyinin böyüklüyünü məhdudlaşdırmaq üçün daxili gərginlik tənzimləyicilərinə malikdir. Bu vəziyyətdə, sürücünün gərginliyi tənzimləyicinin gərginliyini aşdıqda, böyük bir statik funksiya itkisinə səbəb olur.
Eyni zamanda, qapı gərginliyini azaltmaq üçün rezistor gərginlik bölgüsünün əsas prinsipindən istifadə edilərsə, o zaman baş verəcək ki, açarlı gərginlik daha yüksək olarsa, MOSFET yaxşı işləyir və açarlı gərginlik azalırsa, qapı gərginliyi deyil. kifayətdir, nəticədə qeyri-kafi yandırma və söndürmə, funksional itkini artıracaq.
3. İkili gərginlik tətbiqləri
Bəzi idarəetmə sxemlərində dövrənin məntiqi hissəsi tipik 5V və ya 3.3V məlumat gərginliyini tətbiq edir, çıxış gücü hissəsi isə 12V və ya daha çox tətbiq edir və iki gərginlik ümumi yerə qoşulur.
Bu, aşağı gərginlikli tərəfin yüksək gərginlikli MOSFET-i ağlabatan şəkildə manipulyasiya edə bilməsi üçün bir enerji təchizatı dövrəsindən istifadə edilməli olduğunu aydınlaşdırır, yüksək gərginlikli MOSFET isə 1 və 2-də qeyd olunan eyni çətinliklərin öhdəsindən gələ bilsin.
Bu üç halda, totem dirəyi konstruksiyası çıxış tələblərinə cavab verə bilməz və bir çox mövcud MOS sürücü IC-lərinə qapı gərginliyini məhdudlaşdıran konstruksiya daxil edilmir.
Göndərmə vaxtı: 24 iyul 2024-cü il
