İki əsas həll yolu var:
Bunlardan biri MOSFET-i idarə etmək üçün xüsusi bir sürücü çipindən istifadə etmək və ya sürətli fotocouplerlərdən istifadə etməkdir, tranzistorlar MOSFET-i idarə etmək üçün bir dövrə təşkil edir, lakin birinci yanaşma növü müstəqil enerji təchizatının təmin edilməsini tələb edir; MOSFET-i idarə etmək üçün impuls transformatorunun digər növü və impuls sürücüsü dövrəsində, sürücülük qabiliyyətini artırmaq, mümkün qədər komponentlərin sayını azaltmaq üçün sürücü dövrəsinin keçid tezliyini necə yaxşılaşdırmaq təcili ehtiyacdır. həll etməkcari problemlər.
Sürücü sxeminin birinci növü, yarım körpü iki müstəqil enerji təchizatı tələb edir; tam körpü həm yarım körpü, həm də tam körpü olmaqla üç müstəqil enerji təchizatı tələb edir, çoxlu komponentlər, xərclərin azaldılması üçün əlverişli deyil.
İkinci növ sürücülük proqramı və patent ixtirasına ən yaxın əvvəlki sənət növüdür "yüksək gücMOSFET sürücü dövrəsi" patenti (ərizə nömrəsi 200720309534. 8), patent yalnız bağlanma məqsədinə nail olmaq üçün yüksək güclü MOSFET yükünün qapı mənbəyini buraxmaq üçün boşalma müqavimətini əlavə edir, PWM siqnalının düşən kənarı böyükdür. PWM siqnalının düşən kənarı böyükdür, bu MOSFET-in yavaş bağlanmasına səbəb olacaq, güc itkisi çox böyükdür;
Bundan əlavə, patent proqramı MOSFET işi müdaxiləyə həssasdır və PWM nəzarət çipinin böyük bir çıxış gücünə sahib olması lazımdır, çipin temperaturu yüksəkdir, çipin xidmət müddətinə təsir göstərir. İxtiranın məzmunu Bu faydalı modelin məqsədi yüksək güclü MOSFET sürücü dövrəsini təmin etmək, bu faydalı model ixtirasının texniki həllinin məqsədinə çatmaq üçün daha sabit və sıfır işləməkdir - yüksək güclü MOSFET sürücü sxemi, siqnal çıxışı. PWM idarəetmə çipi ilkin impuls transformatoruna qoşulur ilk çıxış of ikincili impuls transformatoru birinci MOSFET qapısına, ikincili impuls transformatorunun ikinci çıxışı birinci MOSFET qapısına, ikincili impuls transformatorunun ikinci çıxışı birinci MOSFET qapısına qoşulur. İkinci dərəcəli impuls transformatorunun birinci çıxışı birinci MOSFET-in qapısına, ikincil impuls transformatorunun ikinci çıxışı ikinci MOSFET-in qapısına qoşulur, onunla xarakterizə olunur ki, ikincil impuls transformatorunun birinci çıxışı da qoşulur. birinci boşalma tranzistoruna, ikincil impuls transformatorunun ikinci çıxışı da ikinci boşalma tranzistoruna qoşulur. Pulse transformatorunun əsas tərəfi də enerji saxlama və buraxma dövrəsinə bağlıdır.
Enerji saxlama dövrəsinə bir rezistor, bir kondansatör və bir diod daxildir, rezistor və kondansatör paralel olaraq bağlanır və yuxarıda qeyd olunan paralel dövrə diodla ardıcıl olaraq bağlanır. Faydalı model faydalı təsirə malikdir Faydalı modeldə həmçinin ikinci dərəcəli transformatorun birinci çıxışına qoşulmuş birinci boşalma tranzistoru və impuls transformatorunun ikinci çıxışına qoşulmuş ikinci boşalma tranzistoru var ki, impuls transformatoru aşağı bir alov çıxardıqda səviyyədə, birinci MOSFET və ikinci MOSFET tez bir zamanda MOSFET-in bağlanma sürətini yaxşılaşdırmaq və MOSFET itkisini azaltmaq üçün boşaldıla bilər. PWM idarəetmə çipinin siqnalı ilkin çıxış və nəbz arasında MOSFET siqnal gücləndirilməsinə bağlıdır. siqnal gücləndirmək üçün istifadə edilə bilən transformator birincil. PWM idarəetmə çipinin siqnal çıxışı və ilkin impuls transformatoru siqnal gücləndirilməsi üçün MOSFET-ə qoşulur ki, bu da PWM siqnalının hərəkət qabiliyyətini daha da yaxşılaşdıra bilər.
Birincil impuls transformatoru da enerji saxlama buraxılış dövrəsinə qoşulur, PWM siqnalı aşağı səviyyədə olduqda, enerji saxlama dövrəsi PWM yüksək səviyyədə olduqda, darvazanın bağlanmasını təmin edən impuls transformatorunda saxlanılan enerjini buraxır. birinci MOSFET və ikinci MOSFET-in mənbəyi son dərəcə aşağıdır, bu da müdaxilənin qarşısının alınmasında rol oynayır.
Müəyyən bir tətbiqdə, PWM idarəetmə çipinin siqnal çıxış terminalı A və nəbz transformatorunun Tl birincisi arasında siqnal gücləndirilməsi üçün aşağı güclü MOSFET Q1, nəbz transformatorunun ikincilinin birinci çıxış terminalı bağlanır. ilk MOSFET Q4-ün qapısı D1 diodu və idarəedici rezistor Rl vasitəsilə, nəbz transformatorunun ikincilinin ikinci çıxış terminalı D2 diodu və idarəedici rezistor R2 vasitəsilə ikinci MOSFET Q5-in qapısına qoşulur və impuls transformatorunun ikincil birinci çıxış terminalı da birinci drenaj trioduna Q2, ikinci drenaj triodu Q3 də ikinci drenaj trioduna Q3 qoşulur. MOSFET Q5, ikincil nəbz transformatorunun birinci çıxış terminalı da birinci drenaj tranzistoru Q2-yə, ikincil nəbz transformatorunun ikinci çıxış terminalı da ikinci drenaj tranzistoru Q3-ə qoşulur.
Birinci MOSFET Q4-ün qapısı drenaj rezistoru R3-ə, ikinci MOSFET Q5-in qapısı isə R4 drenaj rezistoruna qoşulub. impuls transformatorunun Tl birincisi də enerji saxlama və buraxma dövrəsinə qoşulur və enerji saxlama və buraxma dövrəsinə R5 rezistoru, Cl kondansatör və diod D3 daxildir və R5 rezistoru və Cl kondansatör paraleldir və yuxarıda qeyd olunan paralel dövrə D3 dioduna ardıcıl olaraq bağlıdır. PWM idarəetmə çipindən PWM siqnal çıxışı aşağı güclü MOSFET Q2-yə, aşağı güclü MOSFET Q2 isə impuls transformatorunun ikincilinə qoşulur. aşağı güclü MOSFET Ql ilə gücləndirilir və impuls transformatorunun Tl birincisinə çıxış edir. PWM siqnalı yüksək olduqda, ilk MOSFET Q4 və ikinci MOSFET Q5-i idarə etmək üçün nəbz transformatorunun Tl ikincilinin birinci çıxış terminalı və ikinci çıxış terminalı yüksək səviyyəli siqnallar çıxarır.
PWM siqnalı aşağı olduqda, birinci çıxış və nəbz transformatorunun ikinci çıxışı Tl ikincil çıxış aşağı səviyyəli siqnallar, birinci drenaj tranzistoru Q2 və ikinci drenaj tranzistoru Q3 keçiriciliyi, ilk MOSFETQ4 qapısı mənbəyinin tutumu drenaj müqaviməti R3 vasitəsilə, axıdılması üçün birinci drenaj tranzistoru Q2, drenaj rezistoru R4 vasitəsilə ikinci MOSFETQ5 qapısı mənbəyinin tutumu, axıdılması üçün ikinci drenaj tranzistoru Q3, drenaj rezistoru R4 vasitəsilə ikinci MOSFETQ5 qapısı mənbəyinin tutumu, axıdılması üçün ikinci drenaj tranzistoru Q3, ikinci Drenaj rezistoru R4 vasitəsilə MOSFETQ5 qapısı mənbəyinin tutumu, axıdılması üçün ikinci drenaj tranzistoru Q3. İkinci MOSFETQ5 qapısı mənbəyinin tutumu drenaj rezistoru R4 və ikinci drenaj tranzistoru Q3 vasitəsilə boşaldılır ki, birinci MOSFET Q4 və ikinci MOSFET Q5 daha tez söndürülə və enerji itkisi azaldıla bilər.
PWM siqnalı aşağı olduqda, rezistor R5, kondansatör Cl və D3 diodundan ibarət saxlanılan enerji buraxma dövrəsi, PWM yüksək olduqda impuls transformatorunda yığılmış enerjini buraxır və birinci MOSFET Q4 və ikinci MOSFET-in qapı mənbəyinin olmasını təmin edir. Q5 son dərəcə aşağıdır, bu da anti-müdaxilə məqsədinə xidmət edir. Diod Dl və diod D2 çıxış cərəyanını bir istiqamətli aparır, beləliklə, PWM dalğa formasının keyfiyyətini təmin edir və eyni zamanda, müəyyən dərəcədə anti-müdaxilə rolunu da oynayır.
Göndərmə vaxtı: 02 avqust 2024-cü il
