MOSFET avtobusa və yük yerə qoşulduqda, yüksək gərginlikli yan keçid istifadə olunur. Tez-tez P-kanalMOSFET-lərBu topologiyada yenidən gərginlik sürücüsü mülahizələri üçün istifadə olunur. Cari reytinqin müəyyən edilməsi İkinci addım MOSFET-in cari reytinqini seçməkdir. Dövrə quruluşundan asılı olaraq, bu cərəyan reytinqi yükün bütün şərtlərdə dayana biləcəyi maksimum cərəyan olmalıdır.
Gərginlik vəziyyətində olduğu kimi, dizayner seçilməsini təmin etməlidirMOSFETsistem sünbül cərəyanları yaradanda belə, bu cari reytinqə tab gətirə bilər. Nəzərdən keçirilən iki hal davamlı rejim və nəbz sıçrayışlarıdır. Bu parametr FDN304P DATASHEET tərəfindən istinad edilir, burada MOSFET davamlı keçiricilik rejimində sabit vəziyyətdədir, cərəyan cihazdan davamlı olaraq axan zaman.
Nəbz sıçrayışları, cihazdan axan cərəyanın böyük bir artımı (və ya sıçrayışı) olduqda olur. Bu şərtlər altında maksimum cərəyan müəyyən edildikdən sonra, sadəcə olaraq, bu maksimum cərəyana tab gətirə bilən cihazı birbaşa seçməkdir.
Nominal cərəyanı seçdikdən sonra keçiricilik itkisi də hesablanmalıdır. Təcrübədə MOSFET-lər ideal cihazlar deyil, çünki keçirici proses zamanı güc itkisi olur, buna keçiricilik itkisi deyilir.
MOSFET, cihazın RDS(ON) ilə müəyyən edildiyi kimi, "on" olduqda dəyişən rezistor kimi çıxış edir və temperaturdan asılı olaraq əhəmiyyətli dərəcədə dəyişir. Cihazın enerji sərfiyyatı Iload2 x RDS(ON)-dan hesablana bilər və on-müqavimət temperatura görə dəyişdiyindən, güc sərfi mütənasib olaraq dəyişir. MOSFET-ə tətbiq olunan VGS gərginliyi nə qədər yüksək olsa, RDS(ON) bir o qədər kiçik olacaq; əksinə RDS(ON) nə qədər yüksək olacaq. Sistem konstruktoru üçün sistem gərginliyindən asılı olaraq güzəştlər burada işə düşür. Portativ dizaynlar üçün daha aşağı gərginliklərdən istifadə etmək daha asandır (və daha çox yayılmışdır), sənaye nümunələri üçün isə daha yüksək gərginliklərdən istifadə etmək olar.
Qeyd edək ki, RDS(ON) müqaviməti cərəyanla bir qədər yüksəlir. RDS(ON) rezistorunun müxtəlif elektrik parametrlərindəki dəyişikliklər istehsalçı tərəfindən təqdim olunan texniki məlumat vərəqində tapıla bilər.
İstilik Tələblərinin Müəyyən edilməsi MOSFET-in seçilməsində növbəti addım sistemin istilik tələblərini hesablamaqdır. Dizayner iki fərqli ssenarini nəzərdən keçirməlidir, ən pis vəziyyət və real vəziyyət. Ən pis vəziyyət ssenarisi üçün hesablamadan istifadə etmək tövsiyə olunur, çünki bu nəticə daha böyük təhlükəsizlik marjası təmin edir və sistemin sıradan çıxmamasını təmin edir.
Üzərində xəbərdar olmaq üçün bəzi ölçülər də varMOSFETməlumat vərəqi; qablaşdırılmış cihazın yarımkeçirici qovşağı ilə ətraf mühit arasındakı istilik müqaviməti və maksimum birləşmə temperaturu kimi. Cihazın birləşmə temperaturu ətraf mühitin maksimum temperaturu üstəgəl istilik müqavimətinin və enerjinin yayılmasının məhsuluna bərabərdir (qovşağın temperaturu = maksimum ətraf mühitin temperaturu + [istilik müqaviməti x enerji itkisi]). Bu tənlikdən sistemin maksimum güc itkisi həll edilə bilər, bu da tərifinə görə I2 x RDS(ON)-a bərabərdir.
Dizayner cihazdan keçəcək maksimum cərəyanı təyin etdiyi üçün RDS(ON) müxtəlif temperaturlar üçün hesablana bilər. Qeyd etmək vacibdir ki, sadə istilik modelləri ilə işləyərkən, konstruktor yarımkeçirici qovşağının/cihazın qapağının və korpusun/mühitin istilik tutumunu da nəzərə almalıdır; yəni, çap dövrə lövhəsinin və paketin dərhal istiləşməməsi tələb olunur.
Adətən, bir PMOSFET, bir parazitar diod mövcud olacaq, diodun funksiyası mənbə-drain əks əlaqə qarşısını almaq üçün, PMOS üçün, NMOS üzərində üstünlüyü onun açılış gərginlik 0 ola bilər ki, və arasında gərginlik fərqi. DS gərginliyi çox deyil, halbuki NMOS şərti olaraq VGS-nin həddən çox olmasını tələb edir, bu da nəzarət gərginliyinin qaçılmaz olaraq tələb olunan gərginlikdən çox olmasına gətirib çıxaracaq və lazımsız problem olacaq. PMOS idarəetmə açarı kimi seçilir, aşağıdakı iki proqram var: birinci tətbiq, gərginlik seçimini həyata keçirmək üçün PMOS, V8V mövcud olduqda, sonra bütün gərginlik V8V tərəfindən təmin edilir, PMOS söndürüləcək, VBAT VSIN-ə gərginlik vermir və V8V aşağı olduqda, VSIN 8V ilə qidalanır. R120-nin torpaqlanmasına diqqət yetirin, PMOS-un düzgün işə salınmasını təmin etmək üçün darvazanın gərginliyini davamlı olaraq aşağı çəkən rezistor, əvvəllər təsvir edilmiş yüksək qapı empedansı ilə əlaqəli vəziyyət təhlükəsi.
D9 və D10 funksiyaları gerilim artımının qarşısını almaqdır və D9 buraxıla bilər. Qeyd etmək lazımdır ki, dövrənin DS faktiki olaraq tərsinə çevrilir, belə ki, keçid borusunun funksiyası əlavə edilmiş diodun keçirilməsi ilə əldə edilə bilməz, bu da praktik tətbiqlərdə qeyd edilməlidir. Bu dövrədə PGC idarəetmə siqnalı V4.2-nin P_GPRS-ə enerji verib-verməməsinə nəzarət edir. Bu dövrə, mənbə və drenaj terminalları əksinə bağlı deyil, R110 və R113 o mənada mövcuddur ki, R110 idarəetmə qapısı cərəyanı çox böyük deyil, R113 nəzarət qapısının normallığı, R113 PMOS kimi yüksək üçün çəkilmə, həm də MCU daxili sancaqlar və pull-up, yəni çıxış PMOS-u söndürmədikdə, açıq drenajın çıxışı, bu zaman, nəzarət siqnalında çəkilmə kimi görünə bilər. yuxarı çəkmək üçün xarici gərginliyə ehtiyac var, buna görə də R113 rezistoru iki rol oynayır. r110 daha kiçik ola bilər, 100 ohm-a qədər ola bilər.
Kiçik paket MOSFET-lərin unikal rolu var.
Göndərmə vaxtı: 27 aprel 2024-cü il
