MOSFET-lərin (Metal-Oxide-Yarımkeçirici Sahə Təsirli Transistorlar) iş prinsiplərini başa düşmək bu yüksək səmərəli elektron komponentlərdən səmərəli istifadə etmək üçün çox vacibdir. MOSFET-lər elektron cihazlarda əvəzolunmaz elementlərdir və onları başa düşmək istehsalçılar üçün vacibdir.
Praktikada, tətbiqi zamanı MOSFET-lərin xüsusi funksiyalarını tam qiymətləndirməyə bilən istehsalçılar var. Buna baxmayaraq, elektron cihazlarda MOSFET-lərin iş prinsiplərini və onlara uyğun rolları dərk edərək, unikal xüsusiyyətlərini və məhsulun spesifik xüsusiyyətlərini nəzərə alaraq, strateji olaraq ən uyğun MOSFET-i seçmək olar. Bu üsul məhsulun məhsuldarlığını artırır, onun bazarda rəqabət qabiliyyətini artırır.
WINSOK SOT-23-3 paketi MOSFET
MOSFET İş Prinsipləri
MOSFET-in qapı-mənbə gərginliyi (VGS) sıfır olduqda, hətta bir drenaj mənbəyi gərginliyi (VDS) tətbiq edilsə belə, həmişə tərs meyldə bir PN qovşağı var, nəticədə elektrik cərəyanı arasında keçirici kanal (və cərəyan yoxdur) olur. MOSFET-in drenajı və mənbəyi. Bu vəziyyətdə, MOSFET-in drenaj cərəyanı (ID) sıfırdır. Qapı və mənbə arasında müsbət gərginliyin tətbiqi (VGS > 0) SiO2 izolyasiya qatında MOSFET-in qapısı ilə silikon substrat arasında, qapıdan P tipli silikon substrata doğru yönəldilmiş elektrik sahəsi yaradır. Oksid təbəqəsinin izolyasiya etdiyini nəzərə alsaq, qapıya tətbiq olunan gərginlik, VGS, MOSFET-də cərəyan yarada bilməz. Bunun əvəzinə, oksid təbəqəsi boyunca bir kondansatör meydana gətirir.
VGS tədricən artdıqca, kondansatör yüklənir və elektrik sahəsi yaradır. Qapıdakı müsbət gərginliklə cəlb edilən çoxsaylı elektronlar kondansatörün digər tərəfində toplanır və drenajdan MOSFET-dəki mənbəyə N tipli keçirici kanal əmələ gətirir. VGS həddi gərginlik VT-ni (adətən 2V ətrafında) aşdıqda, MOSFET-in N-kanalı keçir, drenaj cərəyanı identifikatorunun axını başlayır. Kanalın formalaşmağa başladığı qapı-mənbə gərginliyi eşik gərginliyi VT adlanır. VGS-nin böyüklüyünə və nəticədə elektrik sahəsinə nəzarət etməklə, MOSFET-də drenaj cərəyanı identifikatorunun ölçüsü modullaşdırıla bilər.
WINSOK DFN5x6-8 paketi MOSFET
MOSFET Proqramları
MOSFET əla kommutasiya xüsusiyyətləri ilə məşhurdur və bu, keçid rejimli enerji təchizatı kimi elektron açarları tələb edən sxemlərdə geniş tətbiqinə səbəb olur. 5V enerji təchizatı istifadə edən aşağı gərginlikli tətbiqlərdə ənənəvi strukturların istifadəsi bipolyar keçid tranzistorunun baza emitentində (təxminən 0,7V) gərginliyin azalması ilə nəticələnir və bu, keçid qapısına tətbiq olunan son gərginlik üçün yalnız 4,3V qalır. MOSFET. Belə ssenarilərdə nominal qapı gərginliyi 4,5V olan MOSFET-in seçilməsi müəyyən risklər yaradır. Bu problem 3V və ya digər aşağı gərginlikli enerji təchizatı ilə bağlı tətbiqlərdə də özünü göstərir.
Göndərmə vaxtı: 27 oktyabr 2023-cü il
