MOSFET-in dörd bölgəsi hansılardır?

 

N-kanal təkmilləşdirilməsi MOSFET-in dörd bölgəsi

(1) Dəyişən müqavimət bölgəsi (doymamış bölgə də adlanır)

Ucs" Ucs (th) (açılma gərginliyi), uDs" UGs-Ucs (th), kanalın işə salındığı şəkildəki əvvəlcədən sıxılmış izinin solunda olan bölgədir. Bu bölgədə UD-lərin dəyəri kiçikdir və kanal müqaviməti əsasən yalnız UG-lər tərəfindən idarə olunur. uG-lər müəyyən olduqda, ip və uD-lər xətti əlaqəyə çevrilir, bölgə düz xətlər dəsti kimi təxmin edilir. Bu zaman sahə effekti borusu D, S arasında bir gərginlik UGS ekvivalenti

Gərginlik UGS dəyişən müqaviməti ilə idarə olunur.

(2) sabit cərəyan bölgəsi (həmçinin doyma bölgəsi, gücləndirmə bölgəsi, aktiv bölgə kimi tanınır)

Ucs ≥ Ucs (h) və Ubs ≥ UcsUssth), trasdan əvvəl çimdikləmənin sağ tərəfinin rəqəmi üçün, lakin regionda hələ bölünməmiş, regionda, uGs olmalıdır, ib demək olar ki, yoxdur UD ilə dəyişməsi, sabit cərəyan xüsusiyyətləridir. i yalnız UG-lər tərəfindən idarə olunur, sonra MOSFETD, S cərəyan mənbəyinin uGs gərginliyinə bərabərdir. MOSFET gücləndirmə sxemlərində istifadə olunur, ümumiyyətlə MOSFET-in işində D, S uGs gərginlikli cərəyan mənbəyinə ekvivalentdir. MOSFET gücləndirici dövrələrdə istifadə olunur, ümumiyyətlə bölgədə işləyir, beləliklə də gücləndirmə sahəsi kimi tanınır.

(3) Kəsmə sahəsi (kəsmə sahəsi də adlanır)

Bölgənin üfüqi oxuna yaxın olan rəqəm üçün "Ues (th)" ilə cavab vermək üçün kəsmə sahəsi (həmçinin kəsmə sahəsi kimi tanınır), kanalın hamısı sıxışdırılır, tam kəsmə kimi tanınır, io = 0 , boru işləmir.

(4) qəza zonasının yeri

Qırılma bölgəsi rəqəmin sağ tərəfindəki bölgədə yerləşir. Artan UD ilə PN qovşağı çox çox tərs gərginliyə və parçalanmaya məruz qalır, ip kəskin şəkildə artır. Boru qəza bölgəsində işləməmək üçün işlədilməlidir. Transfer xarakteristikası əyrisi çıxış xarakteristikası əyrisindən əldə edilə bilər. Tapmaq üçün bir qrafik olaraq istifadə edilən üsul haqqında. Məsələn, Şəkil 3 (a)-da Ubs = 6V şaquli xətt üçün onun ib- Uss koordinatlarında i, Us qiymətlərinə uyğun gələn müxtəlif əyrilərlə kəsişməsi, yəni ötürmə xarakteristikası əyrisini əldə etmək üçün.

ParametrləriMOSFET

MOSFET-in bir çox parametrləri var, o cümlədən DC parametrləri, AC parametrləri və limit parametrləri, lakin ümumi istifadədə yalnız aşağıdakı əsas parametrlərə diqqət yetirilməlidir: doymuş drenaj mənbəyi cərəyanı IDSS sıxma gərginliyi Yuxarı, (qovşaq tipli borular və tükənmə) - tipli izolyasiya edilmiş qapı boruları və ya işə salınan gərginlikli UT (gücləndirilmiş izolyasiya edilmiş qapı boruları), keçiricilik gm, sızma mənbəyinin qırılma gərginliyi BUDS, maksimum dağılan güc PDSM və maksimum drenaj mənbəyi cərəyanı IDSM .

(1) Doymuş drenaj cərəyanı

Doymuş drenaj cərəyanı IDSS, qapı gərginliyi UGS = 0 olduqda bir qovşaqda və ya tükənmə tipli izolyasiya edilmiş MOSFET qapısında drenaj cərəyanıdır.

(2) Kəsmə gərginliyi

Çıxış gərginliyi UP, yalnız drenaj və mənbə arasında kəsilən qovşaq tipli və ya tükənmə tipli izolyasiya edilmiş MOSFET qapısındakı qapı gərginliyidir. N-kanal borusu UGS üçün 4-25-də göstərildiyi kimi bir ID əyrisi, IDSS və UP-un əhəmiyyətini görmək üçün başa düşülə bilər.

MOSFET dörd bölgə

(3) Açma gərginliyi

Açılan gərginlik UT, kanallararası mənbəni sadəcə keçirici edən gücləndirilmiş izolyasiya edilmiş MOSFET-də qapı gərginliyidir.

(4) keçiricilik

Keçiricilik gm, boşalma cərəyanı identifikatorunda qapı mənbəyi gərginliyinin UGS-nin idarəetmə qabiliyyətidir, yəni drenaj cərəyanı İD-nin dəyişməsinin qapı mənbəyinin gərginliyi UGS-nin dəyişməsinə nisbətidir. 9m gücləndirmə qabiliyyətini ölçən vacib bir parametrdirMOSFET.

(5) Mənbənin qırılma gərginliyini boşaltın

Drenaj mənbəyinin qırılma gərginliyi BUDS müəyyən bir qapı mənbəyi gərginliyinə aiddir, MOSFET normal işləməsi maksimum drenaj mənbəyi gərginliyini qəbul edə bilər. Bu limit parametridir, MOSFET-ə əlavə edilmiş işləmə gərginliyi BUDS-dən az olmalıdır.

(6) Maksimum Gücün Dağılması

Maksimum güc itkisi PDSM də bir limit parametridirMOSFETMaksimum icazə verilən sızma mənbəyi güc dağılması zamanı performans pisləşmir. MOSFET-dən istifadə edərkən praktiki enerji istehlakı PDSM-dən az olmalı və müəyyən bir marja buraxmalıdır.

(7) Maksimum Drenaj Cərəyanı

Maksimum sızma cərəyanı IDSM başqa bir limit parametridir, MOSFET-in normal işləməsinə aiddir, MOSFET-in işləmə cərəyanından keçməsinə icazə verilən maksimum cərəyanın sızma mənbəyi IDSM-dən çox olmamalıdır.

MOSFET Əməliyyat Prinsipi

MOSFET-in (N-channel improvement MOSFET) iş prinsipi bu “induktiv yük”ün yaratdığı keçirici kanalın vəziyyətini dəyişdirmək üçün “induktiv yükün” miqdarına nəzarət etmək üçün VGS-dən istifadə etmək və sonra məqsədə çatmaqdır. drenaj cərəyanına nəzarət etmək. Məqsəd drenaj cərəyanını idarə etməkdir. Boruların istehsalında, izolyasiya təbəqəsində çoxlu sayda müsbət ionların yaradılması prosesi vasitəsilə, beləliklə, interfeysin digər tərəfində daha çox mənfi yüklər induksiya edilə bilər, bu mənfi yüklər induksiya edilə bilər.

Qapı gərginliyi dəyişdikdə, kanalda induksiya olunan yükün miqdarı da dəyişir, keçirici kanalın eni də dəyişir və beləliklə, boşalma cərəyanının identifikatoru darvaza gərginliyi ilə dəyişir.

MOSFET rolu

I. MOSFET gücləndirmə üçün tətbiq oluna bilər. MOSFET gücləndiricisinin yüksək giriş empedansına görə, birləşdirici kondansatör elektrolitik kondansatörlərdən istifadə etmədən daha kiçik tutumlu ola bilər.

İkincisi, MOSFET-in yüksək giriş empedansı empedansın çevrilməsi üçün çox uyğundur. Çox mərhələli gücləndiricinin giriş mərhələsində empedans çevrilməsi üçün istifadə olunur.

MOSFET dəyişən rezistor kimi istifadə edilə bilər.

Dördüncüsü, MOSFET asanlıqla sabit cərəyan mənbəyi kimi istifadə edilə bilər.

Beşincisi, MOSFET elektron açar kimi istifadə edilə bilər.