Bədən Diodu ilə MOSFET arasındakı fərq

Bədən diodu (bu, tez-tez adi bir dioda, termin olaraq adlandırılır"bədən diodu”müntəzəm kontekstlərdə ümumiyyətlə istifadə edilmir və diodun özünün bir xüsusiyyətinə və ya quruluşuna istinad edə bilər; lakin bu məqsədlə onun standart bir dioda aid olduğunu güman edirik) və MOSFET (Metal Oksid Yarımkeçirici Sahə Təsiri Transistoru) bir neçə aspektdə əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənir. Aşağıda onların fərqlərinin ətraflı təhlili verilmişdir:

1. Əsas anlayışlar və strukturlar

- Diod: Bir diod iki elektrodlu, P tipli və N tipli yarımkeçiricilərdən ibarət olan, PN qovşağı təşkil edən yarımkeçirici bir cihazdır. O, yalnız cərəyanın müsbət tərəfdən mənfi tərəfə keçməsinə imkan verir (irəli meyl) əks axını (əks meyl) maneə törədir.

- MOSFET: MOSFET cərəyanı idarə etmək üçün elektrik sahəsi effektindən istifadə edən üç terminallı yarımkeçirici cihazdır. O, qapıdan (G), mənbədən (S) və drenajdan (D) ibarətdir. Mənbə və drenaj arasındakı cərəyan qapının gərginliyi ilə idarə olunur.

2. İş prinsipi

- Diod: Diodun iş prinsipi PN qovşağının bir istiqamətli keçiriciliyinə əsaslanır. İrəli əyilmə altında daşıyıcılar (deşiklər və elektronlar) cərəyan yaratmaq üçün PN qovşağına yayılır; əks meyl altında, cərəyan axınının qarşısını alan potensial bir maneə yaradılır.

- MOSFET: MOSFET-in iş prinsipi elektrik sahəsinin təsirinə əsaslanır. Qapı gərginliyi dəyişdikdə, o, mənbə ilə drenaj arasında cərəyanı idarə edərək, darvazanın altındakı yarımkeçiricinin səthində keçirici kanal (N-kanal və ya P-kanal) əmələ gətirir. MOSFET-lər, giriş gərginliyindən asılı olaraq çıxış cərəyanı olan gərginliklə idarə olunan cihazlardır.

3. Performans Xüsusiyyətləri

- Diod:

- Yüksək tezlikli və aşağı güc tətbiqləri üçün uyğundur.

- Biristiqamətli keçiriciliyə malikdir, bu onu rektifikasiya, aşkarlama və gərginlik tənzimləmə sxemlərində əsas komponentə çevirir.

- Əks qırılma gərginliyi həlledici parametrdir və əks qəza problemlərindən qaçmaq üçün dizaynda nəzərə alınmalıdır.

- MOSFET:

- Yüksək giriş empedansına, aşağı səs-küyə, aşağı enerji istehlakına və yaxşı istilik sabitliyinə malikdir.

- Böyük miqyaslı inteqral sxemlər və güc elektronikası üçün uyğundur.

- MOSFET-lər N-kanal və P-kanal növlərinə bölünür, bunların hər biri gücləndirmə rejimində və tükənmə rejimində olur.

- Yaxşı sabit cərəyan xüsusiyyətləri nümayiş etdirir, doyma bölgəsində cərəyan demək olar ki, sabit qalır.

4. Tətbiq Sahələri

- Diod: Düzəltmə sxemləri, gərginlik tənzimləmə sxemləri və aşkarlama sxemləri kimi elektronika, rabitə və enerji təchizatı sahələrində geniş istifadə olunur.

- MOSFET: kommutasiya elementləri, gücləndirici elementlər və hərəkət elementləri kimi istifadə olunan inteqral sxemlərdə, güc elektronikasında, kompüterlərdə və rabitədə mühüm rol oynayır.

5. Nəticə

Diodlar və MOSFETlər əsas tərifləri, strukturları, iş prinsipləri, performans xüsusiyyətləri və tətbiq sahələrində fərqlənirlər. Diodlar bir istiqamətli keçiricilik qabiliyyətinə görə rektifikasiya və gərginliyin tənzimlənməsində əsas rol oynayır, MOSFET isə yüksək giriş empedansı, aşağı səs-küy və aşağı enerji istehlakı səbəbindən inteqral sxemlərdə və güc elektronikasında geniş istifadə olunur. Hər iki komponent müasir elektron texnologiya üçün əsasdır və hər biri öz üstünlüklərini təklif edir.