N-kanal MOSFET və P-kanal MOSFET arasındakı fərq! MOSFET istehsalçılarını daha yaxşı seçməyə kömək edin!

Devre dizaynerləri MOSFET-ləri seçərkən bir sualı nəzərdən keçirməlidirlər: P-kanal MOSFET və ya N-kanal MOSFET-i seçməlidirlər? İstehsalçı olaraq, məhsullarınızın digər tacirlərlə daha aşağı qiymətlərlə rəqabət aparmasını istəməli, həmçinin təkrar müqayisələr aparmalısınız. Beləliklə, necə seçmək olar? 20 illik təcrübəyə malik MOSFET istehsalçısı OLUKEY sizinlə bölüşmək istəyir.

Fərq 1: keçiricilik xüsusiyyətləri

N-kanallı MOS-un xüsusiyyətləri ondan ibarətdir ki, Vgs müəyyən bir dəyərdən böyük olduqda işə düşəcək. Qapı gərginliyi 4V və ya 10V-ə çatdıqda, mənbə torpaqlandıqda (aşağı səviyyəli sürücü) istifadə üçün uyğundur. P-kanallı MOS-un xüsusiyyətlərinə gəldikdə, Vgs müəyyən bir dəyərdən az olduqda açılacaq, bu, mənbənin VCC-yə (yüksək səviyyəli sürücü) qoşulduğu vəziyyətlər üçün uyğundur.

Fərq 2:MOSFETkeçid itkisi

İstər N-kanallı MOS, istərsə də P-kanallı MOS, işə salındıqdan sonra bir müqavimət var, buna görə də cərəyan bu müqavimətə enerji sərf edəcək. İstehlak olunan enerjinin bu hissəsi keçiricilik itkisi adlanır. Kiçik bir müqavimətə malik MOSFET-in seçilməsi keçiricilik itkisini azaldacaq və cari aşağı güclü MOSFET-lərin on-müqaviməti ümumiyyətlə onlarla milliohm civarındadır və bir neçə milliohm da var. Bundan əlavə, MOS açıldıqda və söndürüldükdə, dərhal tamamlanmamalıdır. Azalma prosesi var və axan cərəyanın da artan prosesi var.

Bu dövrdə MOSFET itkisi gərginlik və cərəyanın məhsuludur, keçid itkisi adlanır. Adətən keçid itkiləri keçirici itkilərdən çox böyük olur və keçid tezliyi nə qədər yüksək olarsa, itkilər bir o qədər çox olur. Keçirmə anında gərginlik və cərəyanın məhsulu çox böyükdür və yaranan itki də çox böyükdür, ona görə də keçid vaxtının qısaldılması hər keçirmə zamanı itkini azaldır; keçid tezliyinin azaldılması vahid vaxtda açarların sayını azalda bilər.

Üç fərq: MOSFET istifadəsi

P-kanallı MOSFET-in deşik hərəkətliliyi aşağıdır, ona görə də MOSFET-in həndəsi ölçüsü və iş gərginliyinin mütləq dəyəri bərabər olduqda, P-kanallı MOSFET-in keçiriciliyi N-kanallı MOSFET-dən daha kiçik olur. Bundan əlavə, P-kanal MOSFET-in eşik gərginliyinin mütləq dəyəri nisbətən yüksəkdir, daha yüksək işləmə gərginliyi tələb olunur. P-kanal MOS böyük məntiq yelləncək, uzun doldurma və boşaltma prosesi və kiçik bir cihaz keçiriciliyinə malikdir, buna görə də onun işləmə sürəti daha aşağıdır. N-kanallı MOSFET-in meydana çıxmasından sonra onların əksəriyyəti N-kanallı MOSFET ilə əvəz edilmişdir. Bununla belə, P-kanallı MOSFET sadə prosesə malik olduğundan və ucuz olduğundan, bəzi orta və kiçik miqyaslı rəqəmsal idarəetmə sxemləri hələ də PMOS dövrə texnologiyasından istifadə edir.

Tamam, MOSFET qablaşdırma istehsalçısı OLUKEY-in bugünkü paylaşımı üçün bunlardır. Ətraflı məlumat üçün bizimlə əlaqə saxlaya bilərsinizOLUKEYrəsmi saytı. OLUKEY 20 ildir MOSFET-ə diqqət yetirir və baş ofisi Çinin Guangdong əyalətinin Shenzhen şəhərində yerləşir. Əsasən yüksək cərəyanlı sahə effektli tranzistorlar, yüksək güclü MOSFET-lər, böyük paketli MOSFET-lər, kiçik gərginlikli MOSFET-lər, kiçik paket MOSFET-lər, kiçik cərəyan MOSFET-lər, MOS sahə effekti boruları, qablaşdırılmış MOSFET-lər, güc MOS, MOSFET paketləri, orijinal MOSFET-lər, qablaşdırılmış MOSFET-lər və s. Əsas agent məhsulu WINSOK-dur.