Pis qızan MOSFET-i düzəltmək üçün nə edə bilərəm?

Elektrik təchizatı sxemləri və ya sevk sahəsində enerji təchizatı sxemləri qaçılmaz olaraq istifadə olunurMOSFET-lər, bir çox növləri var və bir çox funksiyaları var. Kommutasiya enerji təchizatı və ya təkan tətbiqləri üçün onun keçid funksiyasından istifadə etmək təbiidir.

N-tipindən və ya P-tipindən asılı olmayaraqMOSFET, prinsip mahiyyətcə eynidir, MOSFET axıdıcı cərəyanın çıxış tərəfini tənzimləmək üçün cərəyanın birləşdirici ucunun darvazasına əlavə edilir, MOSFET gərginliklə idarə olunan bir cihazdır, o, elektrik cərəyanı üzərindəki qapıya əlavə olunan cərəyana əsaslanır. cihazın xüsusiyyətlərinin manipulyasiyası, müsbət yük saxlama effektinin yaratdığı əsas cərəyana görə tranzistor kimi keçidə meylli deyil və buna görə də kommutasiya tətbiqində MOSFET keçid sürəti tranzistordan daha sürətli olmalıdır. Kommutasiya sürəti trioddan daha sürətli olmalıdır.

MOSFETkiçik cərəyanlı istilik səbəb olur

Şəkil 1, problemin dövrə prinsipi MOSFET-in keçid vəziyyətində deyil, xətti əməliyyat vəziyyətində işləməsinə icazə verməkdir. Bu da MOSFET istiliyinin səbəbidir. N-MOS keçidi, G-səviyyəli işləmə gərginliyi keçid enerji təchizatından bir neçə V, tamamilə açıq və söndürülməsi üçün P-MOS isə əksinədir. Tamamilə açıq deyil və itki çox böyükdür, nəticədə çıxış gücü dağılır, ekvivalent dövrə DC xarakterik empedansı daha böyükdür, itki genişlənir, buna görə də U * I də genişlənir, tükənmə istiliyi təmsil edir. Bu, həm də ən çox qaçınılan səhv dizayn proqramı idarəetmə dövrəsidir.

2, tezlik çox yüksəkdir, əsasən bəzən mükəmməl həcmin çox təqibi, tezliyin artması ilə nəticələnir, MOSFET istehlakın genişlənməsinə səbəb olur, buna görə istilik də artıb.

3, kifayət qədər istilik istisna dizayn proqramı etmədi, cari çox yüksək, MOSFET tolerantlıq cari dəyəri, ümumiyyətlə yaxşı istilik istisna edilə bilər saxlamaq lazımdır. Buna görə ID daha yüksək cərəyandan aşağıdır, bu da daha ciddi qızdırmaq ehtimalı var, istilik qəbuledicisinə kömək etmək üçün kifayət olmalıdır.

4, MOSFET modelinin seçimi düzgün deyil, çıxış gücü düzgün deyil, MOSFET müqaviməti nəzərə alınmır, nəticədə keçid xarakteristikası empedansının genişlənməsi.

MOSFET kiçik cari isitmə daha ciddidir necə həll etmək olar?