PMOSFET nədir, bilirsinizmi?

I. Əsas quruluş və iş prinsipi

1. Əsas struktur

PMOSFET-lər n tipli substratlara və p-kanallara malikdir və onların strukturu əsasən qapıdan (G), mənbədən (S) və drenajdan (D) ibarətdir. N-tipli silikon substratda, müvafiq olaraq mənbə və drenaj kimi xidmət edən iki P+ bölgəsi var və onlar p-kanalı vasitəsilə bir-birinə bağlıdır. Qapı kanalın üstündə yerləşir və kanaldan metal oksidi izolyasiya edən təbəqə ilə təcrid olunur.

2. Fəaliyyət prinsipləri

PMOSFET-lər NMOSFET-lərə bənzəyir, lakin əks tip daşıyıcılarla işləyir. PMOSFET-də əsas daşıyıcılar deşiklərdir. Mənbəyə münasibətdə darvaza mənfi gərginlik tətbiq edildikdə, darvazanın altındakı n tipli silikonun səthində mənbə və drenajı birləşdirən xəndək kimi xidmət edən p tipli tərs təbəqə əmələ gəlir. Qapı gərginliyinin dəyişdirilməsi kanaldakı deliklərin sıxlığını dəyişir və bununla da kanalın keçiriciliyinə nəzarət edir. Qapı gərginliyi kifayət qədər aşağı olduqda, kanaldakı deliklərin sıxlığı qaynaq və drenaj arasında keçiriciliyə imkan verən kifayət qədər yüksək səviyyəyə çatır; əksinə, kanal kəsilir.

II. Xüsusiyyətlər və tətbiqlər

1. Xüsusiyyətlər

Aşağı hərəkətlilik: P-kanallı MOS tranzistorları nisbətən aşağı deşik hərəkətliliyinə malikdir, buna görə də PMOS tranzistorlarının keçiriciliyi eyni həndəsə və işləmə gərginliyi altında NMOS tranzistorlarından daha kiçikdir.

Aşağı sürətli, aşağı tezlikli tətbiqlər üçün uyğundur: Aşağı hərəkət qabiliyyətinə görə, PMOS inteqral sxemləri aşağı sürətli, aşağı tezlikli sahələrdə tətbiqlər üçün daha uyğundur.

Keçirmə şərtləri: PMOSFET-lərin keçiricilik şərtləri NMOSFET-lərin əksinədir, mənbə gərginliyindən aşağı bir keçid gərginliyi tələb edir.

1. Tətbiqlər

Yüksək tərəfdən keçid: PMOSFET-lər adətən mənbənin müsbət qaynağa qoşulduğu və drenajın yükün müsbət ucuna qoşulduğu yüksək yan keçid konfiqurasiyalarında istifadə olunur. PMOSFET keçirdikdə, yükün müsbət ucunu müsbət tədarüklə birləşdirərək cərəyanın yükdən keçməsinə imkan verir. Bu konfiqurasiya gücün idarə edilməsi və motor sürücüləri kimi sahələrdə çox yaygındır.

Əks qoruma sxemləri: PMOSFET-lər əks enerji təchizatı və ya yük cərəyanının əks axını nəticəsində dövrə zədələnməsinin qarşısını almaq üçün tərs qoruma sxemlərində də istifadə edilə bilər.

III. Dizayn və mülahizələr

1. GATE GERGİNLİYƏ NƏZARƏT

PMOSFET sxemlərini tərtib edərkən, düzgün işləməyi təmin etmək üçün qapı gərginliyinə dəqiq nəzarət tələb olunur. PMOSFET-lərin keçiricilik şərtləri NMOSFET-lərinkinə zidd olduğundan, qapı gərginliyinin polaritesinə və böyüklüyünə diqqət yetirilməlidir.

2. Bağlantını yükləyin

Yükü birləşdirərkən, cərəyanın PMOSFET-dən düzgün keçməsini təmin etmək üçün yükün polaritesinə diqqət yetirmək lazımdır və yükün PMOSFET-in işinə təsirinə, məsələn, gərginliyin azalması, enerji istehlakı və s. , həmçinin nəzərə alınmalıdır.

3. Temperatur sabitliyi

PMOSFET-lərin performansı temperaturdan çox təsirlənir, buna görə də sxemlərin layihələndirilməsi zamanı temperaturun PMOSFET-lərin fəaliyyətinə təsiri nəzərə alınmalı və sxemlərin temperatur sabitliyini yaxşılaşdırmaq üçün müvafiq tədbirlər görülməlidir.

4. Mühafizə sxemləri

Əməliyyat zamanı PMOSFET-lərin həddindən artıq cərəyan və həddindən artıq gərginlik nəticəsində zədələnməsinin qarşısını almaq üçün dövrədə həddindən artıq cərəyandan qorunma və həddindən artıq gərginlikdən qorunma kimi qoruma sxemləri quraşdırılmalıdır. Bu qoruma sxemləri PMOSFET-i effektiv şəkildə qoruya və xidmət müddətini uzada bilər.

Xülasə, PMOSFET xüsusi quruluşa və iş prinsipinə malik bir MOSFET növüdür. Onun aşağı hərəkətliliyi və aşağı sürətli, aşağı tezlikli tətbiqlər üçün uyğunluğu onu xüsusi sahələrdə geniş şəkildə tətbiq etməyə imkan verir. PMOSFET sxemlərini tərtib edərkən, dövrənin düzgün işləməsini və etibarlılığını təmin etmək üçün qapı gərginliyinə nəzarət, yük birləşmələri, temperaturun sabitliyi və qoruma sxemlərinə diqqət yetirilməlidir.