MOSFET və IGBT arasındakı fərq nədir? Olukey suallarınızı cavablandıracaq!

Kommutasiya elementləri kimi MOSFET və IGBT tez-tez elektron sxemlərdə görünür. Görünüşü və xarakterik parametrləri ilə də oxşardırlar. İnanıram ki, bir çox insanlar niyə bəzi sxemlərin MOSFET-dən istifadə etməli olduğunu, digərləri isə bunu merak edəcəklər. IGBT?

Onların arasında nə fərq var? Sonrakı,Olukeysuallarınızı cavablandıracaq!

a nədirMOSFET?

MOSFET, tam Çin adı metal-oksid yarımkeçirici sahə effektli tranzistordur. Bu sahə effektli tranzistorun qapısı izolyasiya qatı ilə təcrid olunduğu üçün ona izolyasiya edilmiş sahə effektli tranzistor da deyilir. MOSFET iki növə bölünə bilər: "kanalının" (işləyən daşıyıcı) polaritesinə görə "N-tipi" və "P-tipi", adətən N MOSFET və P MOSFET adlanır.

MOSFET-in özündə VDD həddindən artıq gərginlik olduqda MOSFET-in yanmasının qarşısını almaq üçün istifadə edilən öz parazitar diod var. Çünki həddindən artıq gərginlik MOSFET-ə zərər verməzdən əvvəl, diod əvvəlcə tərs şəkildə parçalanır və böyük cərəyanı yerə yönəldir və bununla da MOSFET-in yanmasının qarşısını alır.

IGBT nədir?

IGBT (İzolyasiya edilmiş Qapı Bipolyar Transistor) tranzistor və MOSFET-dən ibarət mürəkkəb yarımkeçirici cihazdır.

IGBT-nin dövrə simvolları hələ vahid deyil. Sxematik diaqramı tərtib edərkən, ümumiyyətlə triod və MOSFET simvolları götürülür. Hal-hazırda, sxematik diaqramda qeyd olunan modeldən IGBT və ya MOSFET olub olmadığını mühakimə edə bilərsiniz.

Eyni zamanda, IGBT-nin gövdə diodunun olub-olmamasına da diqqət yetirməlisiniz. Şəkildə qeyd olunmayıbsa, bu o demək deyil ki, yoxdur. Rəsmi məlumatlarda başqa cür göstərilmədiyi təqdirdə, bu diod mövcuddur. IGBT içərisindəki gövdə diodu parazit deyil, lakin IGBT-nin kövrək əks dayanıqlı gərginliyini qorumaq üçün xüsusi olaraq qurulmuşdur. O, həmçinin FWD (freewheeling diode) adlanır.

İkisinin daxili quruluşu fərqlidir

MOSFET-in üç qütbü mənbə (S), drenaj (D) və qapıdır (G).

IGBT-nin üç qütbü kollektor (C), emitent (E) və qapıdır (G).

IGBT, MOSFET-in drenajına əlavə bir təbəqə əlavə etməklə qurulur. Onların daxili quruluşu belədir:

İkisinin tətbiq sahələri fərqlidir

MOSFET və IGBT-nin daxili strukturları fərqlidir ki, bu da onların tətbiq sahələrini müəyyən edir.

MOSFET-in quruluşuna görə, adətən KA-ya çata bilən böyük bir cərəyan əldə edə bilər, lakin şərt gərginliyə tab gətirmə qabiliyyəti IGBT qədər güclü deyil. Onun əsas tətbiq sahələri kommutasiya enerji təchizatı, ballastlar, yüksək tezlikli induksiya isitmə, yüksək tezlikli çevirici qaynaq maşınları, rabitə enerji təchizatı və digər yüksək tezlikli enerji təchizatı sahələridir.

IGBT çox güc, cərəyan və gərginlik istehsal edə bilər, lakin tezlik çox yüksək deyil. Hazırda IGBT-nin sərt keçid sürəti 100KHZ-ə çata bilər. IGBT qaynaq maşınlarında, çeviricilərdə, tezlik çeviricilərində, elektroliz elektrolitik enerji təchizatında, ultrasəs induksiya isitmələrində və digər sahələrdə geniş istifadə olunur.

MOSFET və IGBT-nin əsas xüsusiyyətləri

MOSFET yüksək giriş empedansı, sürətli keçid sürəti, yaxşı istilik sabitliyi, gərginliyə nəzarət cərəyanı və s. xüsusiyyətlərinə malikdir. Dövrədə gücləndirici, elektron açar və digər məqsədlər üçün istifadə edilə bilər.

Yeni tip elektron yarımkeçirici cihaz olaraq IGBT yüksək giriş empedansı, aşağı gərginlikli idarəetmə enerji istehlakı, sadə idarəetmə dövrəsi, yüksək gərginlik müqaviməti və böyük cərəyan tolerantlığı xüsusiyyətlərinə malikdir və müxtəlif elektron sxemlərdə geniş istifadə edilmişdir.

IGBT-nin ideal ekvivalent sxemi aşağıdakı şəkildə göstərilmişdir. IGBT əslində MOSFET və tranzistorun birləşməsidir. MOSFET yüksək müqavimətin dezavantajına malikdir, lakin IGBT bu çatışmazlığı aradan qaldırır. IGBT hələ də yüksək gərginlikdə aşağı müqavimətə malikdir. .

Ümumiyyətlə, MOSFET-in üstünlüyü ondan ibarətdir ki, o, yaxşı yüksək tezlikli xüsusiyyətlərə malikdir və yüzlərlə kHz və MHz-ə qədər tezlikdə işləyə bilər. Dezavantaj, yüksək gərginlikli və yüksək cərəyan vəziyyətlərində on-müqavimətin böyük olması və enerji istehlakının böyük olmasıdır. IGBT aşağı tezlikli və yüksək güc vəziyyətlərində, kiçik müqavimət və yüksək müqavimət gərginliyi ilə yaxşı çıxış edir.

MOSFET və ya IGBT seçin

Dövrədə, MOSFET-i güc açarı borusu və ya IGBT kimi seçmək mühəndislərin tez-tez qarşılaşdıqları bir sualdır. Sistemin gərginliyi, cərəyanı və keçid gücü kimi amillər nəzərə alınarsa, aşağıdakı məqamları ümumiləşdirmək olar:

İnsanlar tez-tez soruşurlar: "MOSFET və ya IGBT daha yaxşıdır?" Əslində ikisi arasında yaxşı və ya pis fərq yoxdur. Ən əsası onun real tətbiqini görməkdir.

MOSFET və IGBT arasındakı fərqlə bağlı hələ də suallarınız varsa, ətraflı məlumat üçün Olukey ilə əlaqə saxlaya bilərsiniz.

Olukey əsasən WINSOK orta və aşağı gərginlikli MOSFET məhsullarını paylayır. Məhsullar hərbi sənayedə, LED/LCD sürücü lövhələri, motor sürücü lövhələri, sürətli doldurma, elektron siqaretlər, LCD monitorlar, enerji təchizatı, kiçik məişət texnikası, tibbi məhsullar və Bluetooth məhsullarında geniş istifadə olunur. Elektron tərəzi, avtomobil elektronikası, şəbəkə məhsulları, məişət texnikası, kompüter periferiyaları və müxtəlif rəqəmsal məhsullar.